Solide SiC-waferdrager

De solide SiC-waferdrager van VeTek Semiconductor is ontworpen voor hoge temperaturen en corrosiebestendige omgevingen in epitaxiale halfgeleiderprocessen en is geschikt voor alle soorten waferproductieprocessen met hoge zuiverheidseisen. VeTek Semiconductor is een toonaangevende leverancier van waferdragers in China en kijkt ernaar uit om uw langetermijnpartner in de halfgeleiderindustrie te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De massieve SiC-waferdrager is een onderdeel dat is vervaardigd voor de hoge temperatuur, hoge druk en corrosieve omgeving van het epitaxiale halfgeleiderproces en is geschikt voor verschillende waferproductieprocessen met hoge zuiverheidseisen.

De massieve SiC-waferdrager bedekt de rand van de wafer, beschermt de wafer en positioneert deze nauwkeurig, waardoor de groei van hoogwaardige epitaxiale lagen wordt gegarandeerd. SiC-materialen worden veel gebruikt in processen zoals vloeistoffase-epitaxie (LPE), chemische dampafzetting (CVD) en metaalorganische dampafzetting (MOCVD) vanwege hun uitstekende thermische stabiliteit, corrosieweerstand en uitstekende thermische geleidbaarheid. De solide SiC-waferdrager van VeTek Semiconductor is geverifieerd in meerdere zware omgevingen en kan effectief de stabiliteit en efficiëntie van het epitaxiale groeiproces van wafers garanderen.

Vapor-phase epitaxial growth method

De massieve SiC-waferdragerProducteigenschappen

● Ultrahoge temperatuurstabiliteit: Vaste SiC-waferdragers kunnen stabiel blijven bij temperaturen tot 1500°C en zijn niet gevoelig voor vervorming of barsten.

● Uitstekende chemische corrosiebestendigheid: Door gebruik te maken van zeer zuivere siliciumcarbidematerialen is het bestand tegen corrosie door een verscheidenheid aan chemicaliën, waaronder sterke zuren, sterke basen en corrosieve gassen, waardoor de levensduur van de waferdrager wordt verlengd.

● Hoge thermische geleidbaarheid: Vaste SiC-waferdragers hebben een uitstekende thermische geleidbaarheid en kunnen tijdens het proces snel en gelijkmatig warmte verspreiden, waardoor de stabiliteit van de wafertemperatuur wordt gehandhaafd en de uniformiteit en kwaliteit van de epitaxiale laag worden verbeterd.

● Lage deeltjesgeneratie: SiC-materialen hebben van nature een lage deeltjesgeneratie-eigenschap, waardoor het risico op besmetting wordt verminderd en ze kunnen voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie voor hoge zuiverheid.

Technische specificaties:

Parameter	Beschrijving
Materiaal	Hoogzuiver massief siliciumcarbide
Toepasselijke wafelgrootte	4-inch, 6-inch, 8-inch, 12-inch (aanpasbaar)
Maximale temperatuurtolerantie	Tot 1500°C
Chemische resistentie	Zuur- en alkalibestendigheid, weerstand tegen fluoridecorrosie
Thermische geleidbaarheid	250 W/(m·K)
Snelheid van deeltjesgeneratie	Ultra-lage deeltjesgeneratie, geschikt voor hoge zuiverheidseisen
Aanpassingsmogelijkheden	Grootte, vorm en andere technische parameters kunnen naar wens worden aangepast

Waarom kiezenVeTek-halfgeleidermassieve SiC wafer substraat draagring?

● Betrouwbaarheid: Na rigoureuze tests en daadwerkelijke verificatie door eindklanten kan het onder extreme omstandigheden langdurige en stabiele ondersteuning bieden en het risico op procesonderbreking verminderen.

● Hoogwaardige materialen: Gemaakt van de hoogste kwaliteit SiC-materialen, zodat elke solide SiC-waferdrager voldoet aan de hoge normen van de industrie.

● Aanpassingsservice: Ondersteuning van aanpassing van meerdere specificaties en technische vereisten om aan specifieke procesbehoeften te voldoen.

Als u meer productinformatie nodig heeft of een bestelling wilt plaatsen, neem dan contact met ons op. Wij bieden professioneel advies en oplossingen op basis van uw specifieke behoeften om u te helpen de productie-efficiëntie te verbeteren en de onderhoudskosten te verlagen.