SiC-douchekop

U kunt er zeker van zijn dat u SiC-douchekop in onze fabriek koopt.

Siliciumcarbidematerialen hebben een unieke combinatie van uitstekende thermische, elektrische en chemische eigenschappen, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen in de halfgeleiderindustrie waar hoogwaardige materialen vereist zijn.

De revolutionaire technologie van VeTek Semiconductor maakt de productie mogelijk van SiC-douchekop, een siliciumcarbidemateriaal met ultrahoge zuiverheid dat is ontstaan ​​door het proces van chemische dampafzetting.

De SiC-douchekop is een cruciaal onderdeel bij de productie van halfgeleiders, speciaal ontworpen voor MOCVD-systemen, siliciumepitaxie en SiC-epitaxieprocessen. Dit onderdeel is gemaakt van robuust massief siliciumcarbide (SiC) en is bestand tegen de extreme omstandigheden van plasmaverwerking en toepassingen bij hoge temperaturen.

Siliciumcarbide (SiC) staat bekend om zijn hoge thermische geleidbaarheid, chemische corrosieweerstand en uitzonderlijke mechanische sterkte, waardoor het een ideaal materiaal is voor bulk SiC-componenten zoals de SiC-douchekop. De gasdouchekop zorgt voor een gelijkmatige verdeling van procesgassen over het waferoppervlak, wat essentieel is voor het produceren van hoogwaardige epitaxiale lagen. Focusringen en randringen, vaak gemaakt van CVD-SiC, zorgen voor een uniforme plasmaverdeling en beschermen de kamer tegen verontreiniging, waardoor de efficiëntie en opbrengst van epitaxiale groei worden verbeterd.

Met zijn nauwkeurige gasstroomregeling en uitstekende materiaaleigenschappen is de SiC-douchekop een sleutelcomponent in de moderne halfgeleiderverwerking en ondersteunt hij geavanceerde toepassingen in siliciumepitaxie en SiC-epitaxie.

VeTek Semiconductor biedt een gesinterde siliciumcarbide halfgeleider douchekop met lage weerstand. We hebben de mogelijkheid om geavanceerde keramische materialen op maat te engineeren en te leveren met behulp van een verscheidenheid aan unieke mogelijkheden.

Productparameter van de SiC-douchekop:

Productie winkel