China Reserveonderdelen voor SiC-groeiproces met één kristal Fabrikant, leverancier, fabriek

Het product van VeTek Semiconductor, de tantaalcarbide (TaC) coatingproducten voor het SiC Single Crystal Growth Process, richt zich op de uitdagingen die verband houden met het groei-interface van siliciumcarbide (SiC) kristallen, met name de uitgebreide defecten die optreden aan de rand van het kristal. Door de TaC-coating toe te passen, streven we ernaar de kwaliteit van de kristalgroei te verbeteren en het effectieve oppervlak van het centrum van het kristal te vergroten, wat cruciaal is voor het bereiken van een snelle en dikke groei.

TaC-coating is een technologische kernoplossing voor het kweken van hoogwaardige SiC-eenkristalgroeiprocessen. We hebben met succes een TaC-coatingtechnologie ontwikkeld met behulp van chemische dampdepositie (CVD), die een internationaal geavanceerd niveau heeft bereikt. TaC heeft uitzonderlijke eigenschappen, waaronder een hoog smeltpunt tot 3880°C, uitstekende mechanische sterkte, hardheid en thermische schokbestendigheid. Het vertoont ook een goede chemische inertheid en thermische stabiliteit bij blootstelling aan hoge temperaturen en stoffen zoals ammoniak, waterstof en siliciumhoudende stoom.

De tantaalcarbide (TaC) coating van VeTek Semiconductor biedt een oplossing om de randgerelateerde problemen in het SiC Single Crystal Growth Process aan te pakken, waardoor de kwaliteit en efficiëntie van het groeiproces worden verbeterd. Met onze geavanceerde TaC-coatingtechnologie willen we de ontwikkeling van de derde generatie halfgeleiderindustrie ondersteunen en de afhankelijkheid van geïmporteerde belangrijke materialen verminderen.

PVT-methode SiC Reserveonderdelen voor eenkristalgroeiproces:

TaC-gecoate smeltkroes, zaadhouder met TaC-coating, TaC-coating geleidingsring zijn belangrijke onderdelen in SiC- en AIN-eenkristalovens volgens de PVT-methode.

Belangrijk kenmerk:

-Hoge temperatuurbestendigheid

-Hoge zuiverheid, vervuilt SiC-grondstoffen en SiC-eenkristallen niet.

-Bestand tegen Al-stoom en N₂-corrosie

-Hoge eutectische temperatuur (met AlN) om de kristalvoorbereidingscyclus te verkorten.

-Recyclebaar (tot 200 uur), het verbetert de duurzaamheid en efficiëntie van de bereiding van dergelijke enkele kristallen.

TaC-coatingkenmerken

Typische fysische eigenschappen van Tac Coating

Tantaalcarbide gecoate afleidingsring Geleidingsring met TaC-coating TaC-coatingring Tantaalcarbide gecoate plaat TaC-gecoat stuk TaC-coatingbuis