Poreus tantaalcarbide

VeTek halfgeleider Porous Tantalum Carbide (TaC) is een hoogwaardig keramisch materiaal dat de eigenschappen van tantaal en koolstof combineert. De poreuze structuur is zeer geschikt voor specifieke toepassingen in hoge temperaturen en extreme omgevingen. TaC combineert uitstekende hardheid, thermische stabiliteit en chemische bestendigheid, waardoor het een ideale materiaalkeuze is bij de verwerking van halfgeleiders.

Poreus Tantaalcarbide (TaC) is samengesteld uit tantaal (Ta) en koolstof (C), waarbij tantaal een sterke chemische binding vormt met koolstofatomen, waardoor het materiaal een extreem hoge duurzaamheid en slijtvastheid krijgt. De poreuze structuur van Porous TaC ontstaat tijdens het productieproces van het materiaal en de porositeit kan worden gecontroleerd op basis van specifieke toepassingsbehoeften. Dit product wordt meestal vervaardigd doorchemische dampdepositie (CVD)methode, waardoor nauwkeurige controle van de poriegrootte en -verdeling wordt gegarandeerd.

Moleculaire structuur van tantaalcarbide

VeTek halfgeleider poreus tantaalcarbide (TaC) heeft de volgende Producteigenschappen:

- Porositeit: De poreuze structuur geeft het verschillende functies in specifieke toepassingsscenario's, waaronder gasdiffusie, filtratie of gecontroleerde warmteafvoer.

- Hoog smeltpunt: Tantaalcarbide heeft een extreem hoog smeltpunt van ongeveer 3.880°C, wat geschikt is voor omgevingen met extreem hoge temperaturen.

- Uitstekende hardheid: Poreus TaC heeft een extreem hoge hardheid van ongeveer 9-10 op de hardheidsschaal van Mohs, vergelijkbaar met diamant. en is bestand tegen mechanische slijtage onder extreme omstandigheden.

- Thermische stabiliteit: Tantaalcarbide (TaC)-materiaal kan stabiel blijven in omgevingen met hoge temperaturen en heeft een sterke thermische stabiliteit, waardoor consistente prestaties in omgevingen met hoge temperaturen worden gegarandeerd.

- Hoge thermische geleidbaarheid: Ondanks zijn porositeit behoudt poreus tantaalcarbide nog steeds een goede thermische geleidbaarheid, waardoor een efficiënte warmteoverdracht wordt gegarandeerd.

- Lage thermische uitzettingscoëfficiënt: De lage thermische uitzettingscoëfficiënt van tantaalcarbide (TaC) zorgt ervoor dat het materiaal dimensionaal stabiel blijft onder aanzienlijke temperatuurschommelingen en vermindert de impact van thermische spanning.

Fysische eigenschappen van TaC-coating：

Bij de productie van halfgeleiders speelt poreus tantaalcarbide (TaC) de volgende specifieke sleutelrolS:

Bij hogetemperatuurprocessen zoalsplasma-etsenen CVD, VeTek-halfgeleider Porous Tantalum Carbide wordt vaak gebruikt als beschermende coating voor verwerkingsapparatuur. Dit komt door de sterke corrosiebestendigheid vanTaC-coatingen de stabiliteit bij hoge temperaturen. Deze eigenschappen zorgen ervoor dat het effectief oppervlakken beschermt die worden blootgesteld aan reactieve gassen of extreme temperaturen, waardoor de normale reactie van processen bij hoge temperaturen wordt gegarandeerd.

Bij diffusieprocessen kan poreus tantaalcarbide dienen als een effectieve diffusiebarrière om het mengen van materialen bij processen bij hoge temperaturen te voorkomen. Deze functie wordt vaak gebruikt om de diffusie van doteermiddelen te regelen bij processen zoals ionenimplantatie en de zuiverheidscontrole van halfgeleiderwafels.

De poreuze structuur van VeTek halfgeleider Porous Tantalum Carbide is zeer geschikt voor halfgeleiderverwerkingsomgevingen die nauwkeurige gasstroomregeling of filtratie vereisen. In dit proces speelt Porous TaC voornamelijk de rol van gasfiltratie en -distributie. De chemische inertie zorgt ervoor dat er tijdens het filtratieproces geen verontreinigingen worden geïntroduceerd. Hierdoor wordt de zuiverheid van het verwerkte product effectief gegarandeerd.

Tantaalcarbide (TaC) coating op een microscopische dwarsdoorsnede: