TaC-gecoate deflectorring

De TaC-gecoate deflectorring van VeTek Semiconductor is een zeer gespecialiseerd onderdeel dat is ontworpen voor SiC-kristalgroeiprocessen. De TaC-coating biedt uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen en chemische inertheid om bestand te zijn tegen de hoge temperaturen en corrosieve omgevingen tijdens het kristalgroeiproces. Dit zorgt voor stabiele prestaties en een lange levensduur van het onderdeel, waardoor de frequentie van vervanging en uitvaltijd wordt verminderd. We streven ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen en kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te zijn.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

VeTek Semiconductor is een professionele fabrikant en leverancier van China TaC gecoate deflectorringen. Onze TaC gecoate deflectorringen zijn zeer gespecialiseerde componenten die zijn ontworpen voor gebruik in SiC-kristalgroeiprocessen. Deze componenten zijn van cruciaal belang in omgevingen die hoge temperatuurbestendigheid, uitzonderlijke duurzaamheid en ongeëvenaarde chemische inertheid vereisen.

TaC gecoate deflectorringen zijn vervaardigd van zeer zuiver tantaalcarbide, dat uitstekende thermische geleidbaarheid en extreme weerstand tegen hoge temperaturen en thermische schokken biedt. De TaC-coating van het onderdeel biedt een extra beschermingslaag tegen de agressieve chemicaliën en agressieve omgevingen die vaak voorkomen bij kristalgroei. De aanwezigheid van de coating verhoogt de duurzaamheid en levensduur van het onderdeel, waardoor consistente prestaties gedurende meerdere cycli behouden blijven.

TaC Coated Deflector Ring is bestand tegen temperaturen tot 2200°C, waardoor het ideaal is voor processen bij hoge temperaturen. TaC Coated Deflector Ring wordt voornamelijk gebruikt in de halfgeleiderindustrie, specifiek voor kristalgroei van siliciumcarbide. Geschikt voor zowel onderzoeks- als kristalgroeireactoren op industriële schaal.

Productparameter van de TaC gecoate deflectorring

Fysische eigenschappen van TaC-coating
Dikte	14,3 (g/cm³)
Specifieke emissiviteit	0.3
Thermische expansiecoëfficiënt	6.3 10-6/K
Hardheid (HK)	2000 Hongkong
Weerstand	1×10-5 Ohm*cm
Thermische stabiliteit	<2500℃
Grafietgrootte verandert	-10~-20um
Bekledingsdikte	≥20um typische waarde (35um±10um)