Bovenste Halfmoon-gedeelte SiC-gecoat

VeTek Semiconductor is een toonaangevende leverancier van op maat gemaakte Upper Halfmoon Part SiC gecoat in China en is al meer dan 20 jaar gespecialiseerd in geavanceerde materialen. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC gecoat is speciaal ontworpen voor SiC epitaxiale apparatuur en dient als een cruciaal onderdeel in de reactiekamer. Het is gemaakt van ultrazuiver grafiet van halfgeleiderkwaliteit en garandeert uitstekende prestaties. Wij nodigen u uit om onze fabriek in China te bezoeken.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als professionele fabrikant willen wij u graag een hoge kwaliteit Upper Halfmoon Part SiC-coating bieden.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC gecoat zijn speciaal ontworpen voor de SiC epitaxiale kamer. Ze hebben een breed scala aan toepassingen en zijn compatibel met verschillende uitrustingsmodellen.

Toepassingsscenario:

Bij VeTek Semiconductor zijn we gespecialiseerd in de productie van hoogwaardige Upper Halfmoon Part SiC-gecoat. Onze SiC- en TaC-gecoate producten zijn specifiek ontworpen voor SiC-epitaxiale kamers en bieden een brede compatibiliteit met verschillende apparatuurmodellen.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC-gecoat dient als componenten in de epitaxiale SiC-kamer. Ze zorgen voor gecontroleerde temperatuuromstandigheden en indirect contact met wafers, waarbij het onzuiverheidsgehalte onder de 5 ppm blijft.

Om een optimale epitaxiale laagkwaliteit te garanderen, monitoren we zorgvuldig kritische parameters zoals dikte en uniformiteit van de dopingconcentratie. Onze beoordeling omvat het analyseren van filmdikte, dragerconcentratie, uniformiteit en oppervlakteruwheidsgegevens om de beste productkwaliteit te bereiken.

Het VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC-gecoat is compatibel met verschillende apparatuurmodellen, waaronder LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH en meer.

Neem vandaag nog contact met ons op om onze hoogwaardige Upper Halfmoon Part SiC-gecoat te verkennen of plan een bezoek aan onze fabriek.

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristal structuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmte capaciteit	640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Warmtegeleiding	300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5 × 10-6K-1