VeTek Semiconductor is een toonaangevende fabrikant en innovator van CVD SiC-douchekoppen in China. We zijn al vele jaren gespecialiseerd in SiC-materiaal. CVD SiC-douchekop wordt gekozen als focusringmateriaal vanwege de uitstekende thermochemische stabiliteit, hoge mechanische sterkte en weerstand tegen plasma-erosie. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
U kunt er zeker van zijn dat u CVD SiC-douchekop in onze fabriek koopt. VeTek Semiconductor CVD SiC-douchekop is gemaakt van vast siliciumcarbide (SiC) met behulp van geavanceerde chemische dampafzettingstechnieken (CVD). SiC is gekozen vanwege zijn uitzonderlijke thermische geleidbaarheid, chemische weerstand en mechanische sterkte, ideaal voor SiC-componenten met een groot volume, zoals de CVD SiC-douchekop.
De CVD SiC-douchekop is ontworpen voor de productie van halfgeleiders en is bestand tegen hoge temperaturen en plasmaverwerking. De nauwkeurige gasstroomregeling en superieure materiaaleigenschappen zorgen voor stabiele processen en betrouwbaarheid op lange termijn. Het gebruik van CVD SiC verbetert het thermisch beheer en de chemische stabiliteit, waardoor de kwaliteit en prestaties van halfgeleiderproducten worden verbeterd.
De CVD SiC-douchekop verbetert de epitaxiale groei-efficiëntie door procesgassen gelijkmatig te verdelen en de kamer te beschermen tegen verontreiniging. Het lost op effectieve wijze uitdagingen op het gebied van de productie van halfgeleiders op, zoals temperatuurbeheersing, chemische stabiliteit en procesconsistentie, en biedt klanten betrouwbare oplossingen.
De CVD SiC-douchekop wordt gebruikt in MOCVD-systemen, Si-epitaxie en SiC-epitaxie en ondersteunt de productie van hoogwaardige halfgeleiderapparaten. Zijn cruciale rol zorgt voor nauwkeurige procescontrole en stabiliteit, en voldoet aan de uiteenlopende eisen van klanten voor hoogwaardige en betrouwbare producten.
Fysische eigenschappen van vast SiC | |||
Dikte | 3.21 | g/cm3 | |
Elektriciteitsweerstand | 102 | Ω/cm | |
Buigsterkte | 590 | MPa | (6000kgf/cm2) |
Young-modulus | 450 | GPa | (6000kgf/mm2) |
Vickers-hardheid | 26 | GPa | (2650kgf/mm2) |
CTE (RT-1000℃) | 4.0 | x10-6/K | |
Thermische geleidbaarheid (RT) | 250 | W/mK |