> Nieuws

Nieuws

De ontwikkelingsgeschiedenis van 3C SiC

Door voortdurende technologische vooruitgang en diepgaand onderzoek naar mechanismen wordt verwacht dat 3C-SiC hetero-epitaxiale technologie een belangrijkere rol zal spelen in de halfgeleiderindustrie en de ontwikkeling van zeer efficiënte elektronische apparaten zal bevorderen.

Lees verder

Recept voor ALD-afzetting van atomaire lagen

Ruimtelijke ALD, ruimtelijk geïsoleerde afzetting van atomaire lagen. De wafel beweegt tussen verschillende posities en wordt op elke positie blootgesteld aan verschillende voorlopers. Onderstaande figuur is een vergelijking tussen traditionele ALD en ruimtelijk geïsoleerde ALD.

Lees verder

Doorbraak in tantaalcarbidetechnologie, epitaxiale SiC-vervuiling verminderd met 75%?

Onlangs heeft het Duitse onderzoeksinstituut Fraunhofer IISB een doorbraak bereikt in het onderzoek en de ontwikkeling van tantaalcarbide coatingtechnologie, en een spraycoatingoplossing ontwikkeld die flexibeler en milieuvriendelijker is dan de CVD-depositieoplossing, en die op de markt is gebracht......

Lees verder

Verkennende toepassing van 3D-printtechnologie in de halfgeleiderindustrie

In een tijdperk van snelle technologische ontwikkeling verandert 3D-printen, als belangrijke vertegenwoordiger van geavanceerde productietechnologie, geleidelijk het gezicht van de traditionele productie. Met de voortdurende volwassenheid van de technologie en de verlaging van de kosten heeft de 3D-......

Lees verder

Silicium (Si) epitaxie-preparatietechnologie

Eénkristalmaterialen alleen kunnen niet voldoen aan de behoeften van de groeiende productie van verschillende halfgeleiderapparaten. Eind 1959 werd een dunne laag monokristallijne materiaalgroeitechnologie ontwikkeld: epitaxiale groei.

Lees verder

Gebaseerd op 8-inch siliciumcarbide eenkristalgroeioventechnologie

Siliciumcarbide is een van de ideale materialen voor het maken van apparaten met hoge temperatuur, hoge frequentie, hoog vermogen en hoogspanning. Om de productie-efficiëntie te verbeteren en de kosten te verlagen, is de vervaardiging van grote siliciumcarbidesubstraten een belangrijke ontwikkelings......

Lees verder

<...6 7 8 9 10 >