Het belangrijkste verschil tussen epitaxie en atomaire laagdepositie (ALD) ligt in hun filmgroeimechanismen en bedrijfsomstandigheden. Epitaxie verwijst naar het proces van het laten groeien van een dunne kristallijne film op een kristallijn substraat met een specifieke oriëntatierelatie, waarbij de......
Lees verderCVD TAC-coating is een proces voor het vormen van een dichte en duurzame coating op een substraat (grafiet). Deze methode omvat het afzetten van TaC op het substraatoppervlak bij hoge temperaturen, wat resulteert in een tantaalcarbide (TaC) coating met uitstekende thermische stabiliteit en chemische......
Lees verderNaarmate het 8-inch siliciumcarbide (SiC)-proces volwassener wordt, versnellen fabrikanten de verschuiving van 6-inch naar 8-inch. Onlangs hebben ON Semiconductor en Resonac updates aangekondigd over de 8-inch SiC-productie.
Lees verderMet de groeiende vraag naar SiC-materialen op het gebied van vermogenselektronica, opto-elektronica en andere gebieden zal de ontwikkeling van SiC-technologie voor monokristallijne groei een sleutelgebied van wetenschappelijke en technologische innovatie worden. Als kern van SiC-apparatuur voor mono......
Lees verderHet productieproces van de chip omvat fotolithografie, etsen, diffusie, dunne film, ionenimplantatie, chemisch-mechanisch polijsten, reinigen, enz. Dit artikel legt grofweg uit hoe deze processen achtereenvolgens worden geïntegreerd om een MOSFET te vervaardigen.
Lees verder