Wat is CVD TAC-coating?

Zoals we allemaal weten,TaCheeft een smeltpunt tot 3880°C, hoge mechanische sterkte, hardheid en thermische schokbestendigheid; goede chemische inertie en thermische stabiliteit tegen ammoniak, waterstof en siliciumhoudende damp bij hoge temperaturen.

CVD TAC-coating, chemische dampdepositie (CVD) vantantaalcarbide (TaC) coating, is een proces voor het vormen van een duurzame coating met hoge dichtheid op een substraat (meestal grafiet). Deze methode omvat het afzetten van TaC op het oppervlak van het substraat bij hoge temperaturen, wat resulteert in een coating met uitstekende thermische stabiliteit en chemische weerstand.

De belangrijkste voordelen van CVD TaC-coatings zijn onder meer:

Extreem hoge thermische stabiliteit: bestand tegen temperaturen boven 2200°C.

Chemische resistentie: is effectief bestand tegen agressieve chemicaliën zoals waterstof, ammoniak en siliciumdamp.

Sterke hechting: zorgt voor langdurige bescherming zonder delaminatie.

Hoge zuiverheid: minimaliseert onzuiverheden, waardoor het ideaal is voor halfgeleidertoepassingen.

Deze coatings zijn bijzonder geschikt voor omgevingen die een hoge duurzaamheid en weerstand tegen extreme omstandigheden vereisen, zoals de productie van halfgeleiders en industriële processen bij hoge temperaturen.

Bij de industriële productie zullen grafietmaterialen (koolstof-koolstofcomposiet) gecoat met TaC-coating zeer waarschijnlijk het traditionele hoogzuivere grafiet, pBN-coating, SiC-coatingonderdelen, enz. vervangen. Bovendien heeft TaC op het gebied van de lucht- en ruimtevaart een groot potentieel om kan worden gebruikt als anti-oxidatie- en anti-ablatiecoating op hoge temperatuur en heeft brede toepassingsmogelijkheden. Er zijn echter nog steeds veel uitdagingen om de bereiding van een dichte, uniforme, niet-afbladderende TaC-coating op het oppervlak van grafiet te bereiken en de industriële massaproductie te bevorderen.

In dit proces zijn het onderzoeken van het beschermingsmechanisme van de coating, het innoveren van het productieproces en het concurreren met de buitenlandse top van cruciaal belang voor de groei en epitaxie van halfgeleiderkristallen van de derde generatie.