VeTek Semiconductor presenteert de TaC Coating Susceptor. Met zijn uitzonderlijke TaC-coating biedt deze susceptor een groot aantal voordelen die hem onderscheiden van conventionele oplossingen. De TaC Coating Susceptor van VeTek Semiconductor is naadloos te integreren in bestaande systemen en garandeert compatibiliteit en efficiënte werking. De betrouwbare prestaties en de hoogwaardige TaC-coating leveren consistent uitzonderlijke resultaten op bij SiC-epitaxieprocessen. We streven ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen en kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te zijn.
De met TaC gecoate susceptor en ring van VeTek Semiconductor werken samen in de epitaxiale groeireactor van LPE-siliciumcarbide:
Bestand tegen hoge temperaturen: De Susceptor met TaC-coating heeft een uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen en is bestand tegen de extreme temperaturen tot 1500 ° C in de LPE-reactor. Dit zorgt ervoor dat de apparatuur en componenten niet vervormen of beschadigd raken tijdens langdurig gebruik.
Chemische stabiliteit: De Susceptor met TaC-coating presteert uitzonderlijk goed in de corrosieve groeiomgeving van siliciumcarbide, waardoor de reactorcomponenten effectief worden beschermd tegen corrosieve chemische aanvallen, waardoor hun levensduur wordt verlengd.
Thermische stabiliteit: De Susceptor met TaC-coating heeft een goede thermische stabiliteit, waardoor de oppervlaktemorfologie en ruwheid behouden blijft om de uniformiteit van het temperatuurveld in de reactor te garanderen, wat gunstig is voor de hoogwaardige groei van de epitaxiale lagen van siliciumcarbide.
Anti-besmetting: Het gladde TaC-gecoate oppervlak en de superieure TPD-prestaties (Temperature Programmed Desorption) kunnen de ophoping en adsorptie van deeltjes en onzuiverheden in de reactor minimaliseren, waardoor verontreiniging van de epitaxiale lagen wordt voorkomen.
Samenvattend spelen de met TaC gecoate susceptor en ring een cruciale beschermende rol in de LPE epitaxiale groeireactor van siliciumcarbide, waardoor de stabiele werking van de apparatuur op lange termijn en de hoogwaardige groei van de epitaxiale lagen worden gegarandeerd.
Fysische eigenschappen van TaC-coating | |
Dikte | 14,3 (g/cm³) |
Specifieke emissiviteit | 0.3 |
Thermische uitzettingscoëfficiënt | 6.3 10-6/K |
Hardheid (HK) | 2000 Hongkong |
Weerstand | 1×10-5 Ohm*cm |
Thermische stabiliteit | <2500℃ |
Grafietgrootte verandert | -10~-20um |
Dikte van de coating | ≥20um typische waarde (35um±10um) |