Kent u MOCVD Susceptor?

Bij het metaal-organische chemische dampdepositieproces (MOCVD) is de suceptor een sleutelcomponent die verantwoordelijk is voor het ondersteunen van de wafer en het waarborgen van de uniformiteit en nauwkeurige controle van het depositieproces. De materiaalkeuze en producteigenschappen zijn rechtstreeks van invloed op de stabiliteit van het epitaxiale proces en de kwaliteit van het product.

MOCVD-acceptor(Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) is een belangrijke procescomponent bij de productie van halfgeleiders. Het wordt voornamelijk gebruikt in het MOCVD-proces (Metal-Organic Chemical Vapour Deposition) om de wafer te ondersteunen en te verwarmen voor de afzetting van dunne films. Het ontwerp en de materiaalkeuze van de suceptor zijn cruciaal voor de uniformiteit, efficiëntie en kwaliteit van het eindproduct.

Producttype en materiaalkeuze:

Het ontwerp en de materiaalkeuze van MOCVD Susceptor zijn divers, meestal bepaald door procesvereisten en reactieomstandigheden.Hieronder volgen veelvoorkomende producttypen en hun materialen:

SiC-gecoate susceptor(Susceptor met siliciumcarbidecoating):

Omschrijving: Susceptor met SiC-coating, met grafiet of andere materialen met hoge temperaturen als substraat, en CVD SiC-coating (CVD SiC Coating) op het oppervlak om de slijtvastheid en corrosieweerstand te verbeteren.

Toepassing: Op grote schaal gebruikt in MOCVD-processen in omgevingen met hoge temperaturen en zeer corrosieve gassen, vooral bij de afzetting van siliciumepitaxie en samengestelde halfgeleiders.

TaC-gecoate susceptor:

Omschrijving: Susceptor met TaC-coating (CVD TaC Coating) als hoofdmateriaal heeft een extreem hoge hardheid en chemische stabiliteit en is geschikt voor gebruik in extreem corrosieve omgevingen.

Toepassing: Gebruikt in MOCVD-processen die een hogere corrosieweerstand en mechanische sterkte vereisen, zoals de afzetting van galliumnitride (GaN) en galliumarsenide (GaAs).

Siliciumcarbide gecoate grafiet susceptor voor MOCVD:

Omschrijving: Het substraat is van grafiet en het oppervlak is bedekt met een laag CVD SiC-coating om stabiliteit en een lange levensduur bij hoge temperaturen te garanderen.

Toepassing: Geschikt voor gebruik in apparatuur zoals Aixtron MOCVD-reactoren voor de vervaardiging van hoogwaardige samengestelde halfgeleidermaterialen.

EPI-receptor (epitaxiereceptor):

Omschrijving: Susceptor speciaal ontworpen voor epitaxiale groeiprocessen, meestal met SiC-coating of TaC-coating om de thermische geleidbaarheid en duurzaamheid te verbeteren.

Toepassing: Bij siliciumepitaxie en samengestelde halfgeleiderepitaxie wordt het gebruikt om een ​​uniforme verwarming en afzetting van wafers te garanderen.

Belangrijkste rol van Susceptor voor MOCVD bij halfgeleiderverwerking:

Wafelondersteuning en gelijkmatige verwarming:

Functie: Susceptor wordt gebruikt om wafers in MOCVD-reactoren te ondersteunen en voor een uniforme warmteverdeling te zorgen via inductieverwarming of andere methoden om een ​​uniforme filmafzetting te garanderen.

Warmtegeleiding en stabiliteit:

Functie: De thermische geleidbaarheid en thermische stabiliteit van Susceptor-materialen zijn cruciaal. De SiC-gecoate susceptor en de TaC-gecoate susceptor kunnen de stabiliteit behouden bij processen bij hoge temperaturen dankzij hun hoge thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid, waardoor filmdefecten veroorzaakt door ongelijkmatige temperaturen worden vermeden.

Corrosiebestendigheid en lange levensduur:

Functie: Bij het MOCVD-proces wordt de susceptor blootgesteld aan verschillende chemische precursorgassen. SiC-coating en TaC-coating bieden uitstekende corrosieweerstand, verminderen de interactie tussen het materiaaloppervlak en het reactiegas en verlengen de levensduur van de susceptor.

Optimalisatie van de reactieomgeving:

Functie: Door gebruik te maken van hoogwaardige Susceptors worden de gasstroom en het temperatuurveld in de MOCVD-reactor geoptimaliseerd, waardoor een uniform filmafzettingsproces wordt gegarandeerd en de opbrengst en prestaties van het apparaat worden verbeterd. Het wordt meestal gebruikt in Susceptors voor MOCVD-reactoren en Aixtron MOCVD-apparatuur.

Producteigenschappen en technische voordelen：

Hoge thermische geleidbaarheid en thermische stabiliteit:

Kenmerken: Susceptors met SiC- en TaC-coating hebben een extreem hoge thermische geleidbaarheid, kunnen de warmte snel en gelijkmatig verdelen en behouden structurele stabiliteit bij hoge temperaturen om een ​​uniforme verwarming van wafers te garanderen.

Voordelen: Geschikt voor MOCVD-processen die nauwkeurige temperatuurregeling vereisen, zoals epitaxiale groei van samengestelde halfgeleiders zoals galliumnitride (GaN) en galliumarsenide (GaAs).

Uitstekende corrosieweerstand:

Kenmerken: CVD SiC Coating en CVD TaC Coating hebben een extreem hoge chemische inertheid en zijn bestand tegen corrosie door zeer corrosieve gassen zoals chloriden en fluoriden, waardoor het substraat van de Susceptor tegen beschadiging wordt beschermd.

Voordelen: Verleng de levensduur van de susceptor, verminder de onderhoudsfrequentie en verbeter de algehele efficiëntie van het MOCVD-proces.

Hoge mechanische sterkte en hardheid:

Kenmerken: De hoge hardheid en mechanische sterkte van de SiC- en TaC-coatings zorgen ervoor dat de Susceptor mechanische belasting bij hoge temperaturen en hoge druk kan weerstaan ​​en stabiliteit en precisie op lange termijn kan behouden.

Voordelen: Bijzonder geschikt voor productieprocessen van halfgeleiders die hoge precisie vereisen, zoals epitaxiale groei en chemische dampafzetting.

Markttoepassing en ontwikkelingsvooruitzichten

MOCVD-susceptorenworden veel gebruikt bij de vervaardiging van LED's met hoge helderheid, vermogenselektronische apparaten (zoals op GaN gebaseerde HEMT's), zonnecellen en andere opto-elektronische apparaten. Met de toenemende vraag naar halfgeleiderapparaten met hogere prestaties en een lager energieverbruik, blijft de MOCVD-technologie zich ontwikkelen, waardoor innovatie in Susceptor-materialen en -ontwerpen wordt gestimuleerd. Bijvoorbeeld het ontwikkelen van SiC-coatingtechnologie met een hogere zuiverheid en lagere defectdichtheid, en het optimaliseren van het structurele ontwerp van Susceptor om zich aan te passen aan grotere wafers en complexere meerlaagse epitaxiale processen.

VeTek semiconductor Technology Co., LTD is een toonaangevende leverancier van geavanceerde coatingmaterialen voor de halfgeleiderindustrie. Ons bedrijf richt zich op het ontwikkelen van geavanceerde oplossingen voor de industrie.

Ons belangrijkste productaanbod omvat CVD-siliciumcarbide (SiC) coatings, tantaalcarbide (TaC) coatings, bulk SiC, SiC-poeders en zeer zuivere SiC-materialen, SiC-gecoate grafiet susceptor, voorverwarmingsringen, TaC-gecoate afleidingsring, halvemaanonderdelen, enz. ., de zuiverheid is lager dan 5 ppm, kan aan de eisen van de klant voldoen.

VeTek semiconductor richt zich op het ontwikkelen van geavanceerde technologie en productontwikkelingsoplossingen voor de halfgeleiderindustrie. Wij hopen oprecht uw langetermijnpartner in China te worden.