Thuis > Producten > Tantaalcarbide coating > UV-LED-susceptor > MOCVD Susceptor met TaC-coating
MOCVD Susceptor met TaC-coating
  • MOCVD Susceptor met TaC-coatingMOCVD Susceptor met TaC-coating

MOCVD Susceptor met TaC-coating

VeTek Semiconductor is een allesomvattende leverancier die zich bezighoudt met onderzoek, ontwikkeling, productie, ontwerp en verkoop van TaC-coatings en SiC-coatingonderdelen. Onze expertise ligt in de productie van ultramoderne MOCVD-susceptoren met TaC-coating, die een cruciale rol spelen in het LED-epitaxieproces. Wij heten u welkom om met ons vragen en verdere informatie te bespreken.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

VeTek Semiconductor is een toonaangevende Chinese fabrikant, leverancier en exporteur, gespecialiseerd in MOCVD-susceptor met TaC-coating. U bent van harte welkom om naar onze fabriek te komen om de nieuwste, lage prijs en hoogwaardige MOCVD-susceptors met TaC-coating te kopen. Wij kijken ernaar uit om met u samen te werken.

LED-epitaxie wordt geconfronteerd met uitdagingen zoals controle van de kristalkwaliteit, materiaalselectie en -matching, structureel ontwerp en optimalisatie, procescontrole en consistentie, en efficiëntie van lichtextractie. Het kiezen van het juiste dragermateriaal voor epitaxiewafels is cruciaal, en het coaten ervan met tantaalcarbide (TaC) dunne film (TaC-coating) biedt extra voordelen.

Bij het selecteren van een dragermateriaal voor epitaxiewafels moeten verschillende sleutelfactoren in overweging worden genomen:

Temperatuurtolerantie en chemische stabiliteit: LED-epitaxieprocessen brengen hoge temperaturen met zich mee en kunnen het gebruik van chemicaliën met zich meebrengen. Daarom is het noodzakelijk om materialen te kiezen met een goede temperatuurtolerantie en chemische stabiliteit om de stabiliteit van de drager in hoge temperatuur- en chemische omgevingen te garanderen.

Oppervlaktevlakheid en slijtvastheid: Het oppervlak van de epitaxiewafeldrager moet een goede vlakheid hebben om uniform contact en stabiele groei van de epitaxiewafel te garanderen. Bovendien is slijtvastheid belangrijk om oppervlaktebeschadiging en slijtage te voorkomen.

Thermische geleidbaarheid: Het kiezen van een materiaal met een goede thermische geleidbaarheid helpt de warmte effectief af te voeren, waardoor een stabiele groeitemperatuur voor de epitaxielaag wordt gehandhaafd en de processtabiliteit en consistentie worden verbeterd.

In dit opzicht biedt het coaten van de epitaxiewafeldrager met TaC de volgende voordelen:

Stabiliteit bij hoge temperaturen: TaC-coating vertoont een uitstekende stabiliteit bij hoge temperaturen, waardoor het zijn structuur en prestaties behoudt tijdens epitaxieprocessen bij hoge temperaturen en een superieure temperatuurtolerantie biedt.

Chemische stabiliteit: TaC-coating is bestand tegen corrosie door gewone chemicaliën en atmosferen, beschermt de drager tegen chemische degradatie en verbetert de duurzaamheid ervan.

Hardheid en slijtvastheid: TaC-coating bezit een hoge hardheid en slijtvastheid, waardoor het oppervlak van de epitaxiewafeldrager wordt versterkt, schade en slijtage wordt verminderd en de levensduur ervan wordt verlengd.

Thermische geleidbaarheid: TaC-coating vertoont een goede thermische geleidbaarheid, helpt bij de warmteafvoer, handhaaft een stabiele groeitemperatuur voor de epitaxielaag en verbetert de processtabiliteit en consistentie.

Daarom helpt het kiezen van een epitaxiewafeldrager met een TaC-coating de uitdagingen van LED-epitaxie aan te pakken en te voldoen aan de eisen van hoge temperaturen en chemische omgevingen. Deze coating biedt voordelen zoals stabiliteit bij hoge temperaturen, chemische stabiliteit, hardheid en slijtvastheid, en thermische geleidbaarheid, wat bijdraagt ​​aan verbeterde prestaties, levensduur en productie-efficiëntie van de epitaxiewafeldrager.


Fysische basiseigenschappen van TaC-coating:

Fysische eigenschappen van TaC-coating
Dikte 14,3 (g/cm³)
Specifieke emissiviteit 0.3
Thermische expansiecoëfficiënt 6.3 10-6/K
Hardheid (HK) 2000 Hongkong
Weerstand 1×10-5 Ohm*cm
Thermische stabiliteit <2500℃
Grafietgrootte verandert -10~-20um
Bekledingsdikte ≥20um typische waarde (35um±10um)


VeTek halfgeleiderproductiewinkel


Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips:


Hottags: MOCVD Susceptor met TaC-coating, China, fabrikant, leverancier, fabriek, aangepast, kopen, geavanceerd, duurzaam, gemaakt in China
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept