Horizontale SiC-waferdrager

VeTek SemiconductorHorizontale SiC-waferdrager/Boot heeft een extreem hoog smeltpunt (ongeveer 2700°C), waardoor deHorizontale SiC-waferdrager/Boot om stabiel te werken in omgevingen met hoge temperaturen zonder vervorming of degradatie. Dit kenmerk is vooral belangrijk bij het productieproces van halfgeleiders, vooral bij processen zoals gloeien bij hoge temperatuur of chemische dampafzetting (CVD).

DeHorizontale SiC-waferdrager/Boat speelt specifiek de volgende rollen bij het vervoeren van waferdragers:

Dragen en ondersteunen van siliciumwafels: De Horizontale SiC Wafer Boat wordt voornamelijk gebruikt voor het vervoeren en ondersteunen van siliciumwafels tijdens de productie van halfgeleiders. Het kan meerdere siliciumwafels stevig bij elkaar plaatsen om ervoor te zorgen dat ze gedurende het hele verwerkingsproces in een goede positie en stabiliteit blijven.

Gelijkmatige verwarming en koeling: Dankzij de hoge thermische geleidbaarheid van SiC kan de Wafer Boat de warmte effectief gelijkmatig over alle siliciumwafels verdelen. Dit helpt bij het bereiken van een uniforme verwarming of koeling van siliciumwafels tijdens verwerking bij hoge temperaturen, waardoor de consistentie en betrouwbaarheid van het verwerkingsproces wordt gegarandeerd.

Voorkom besmetting: De chemische stabiliteit van SiC zorgt ervoor dat het goed presteert in omgevingen met hoge temperaturen en corrosieve gassen, waardoor de blootstelling van siliciumwafels aan mogelijke verontreinigingen of reactanten wordt verminderd, waardoor de zuiverheid en kwaliteit van siliciumwafels wordt gewaarborgd.

In feite kan de Horizontale SiC Wafer Boat bovenstaande rol spelen vanwege zijn unieke producteigenschappen:

Uitstekende chemische stabiliteit: SiC-materiaal heeft een uitstekende corrosieweerstand tegen een verscheidenheid aan chemische media. Tijdens het verwerken van corrosieve gassen of vloeistoffen kan SiC Wafer Boat effectief chemische corrosie weerstaan ​​en siliciumwafels beschermen tegen verontreiniging of schade.

Hoge thermische geleidbaarheid: De hoge thermische geleidbaarheid van SiC helpt de warmte gelijkmatig te verdelen in het dragerproces en de warmteaccumulatie te verminderen. Dit kan de nauwkeurigheid van de temperatuurregeling tijdens precisieverwerking verbeteren en een uniforme verwarming of koeling van siliciumwafels garanderen.

Lage thermische uitzettingscoëfficiënt: De lage thermische uitzettingscoëfficiënt van SiC-materiaal betekent dat de maatverandering van SiC Wafer Boat erg klein is tijdens temperatuurveranderingen. Dit helpt de dimensionele stabiliteit te behouden tijdens verwerking bij hoge temperaturen en voorkomt vervorming of positionele verplaatsing van siliciumwafels veroorzaakt door thermische uitzetting.

Fysische basiseigenschappen van horizontale SiC-waferdrager:

VeTek Semiconductor-productiewinkel:

Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips: