De SiC Cantilever Paddle van VeTek Semiconductor is een product met zeer hoge prestaties. Onze SiC Cantilever Paddle wordt meestal gebruikt in warmtebehandelingsovens voor het hanteren en ondersteunen van siliciumwafels, chemische dampafzetting (CVD) en andere verwerkingsprocessen in halfgeleiderproductieprocessen. De hoge temperatuurstabiliteit en hoge thermische geleidbaarheid van SiC-materiaal zorgen voor een hoge efficiëntie en betrouwbaarheid in het halfgeleiderverwerkingsproces. We streven ernaar producten van hoge kwaliteit te leveren tegen concurrerende prijzen en kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
U bent van harte welkom om naar onze fabriek Vetek Semiconductor te komen om de nieuwste, lage prijs en hoogwaardige SiC Cantilever Paddle te kopen. Wij kijken ernaar uit om met u samen te werken.
Stabiliteit bij hoge temperaturen: In staat om zijn vorm en structuur te behouden bij hoge temperaturen, geschikt voor verwerkingsprocessen bij hoge temperaturen.
Corrosiebestendigheid: Uitstekende corrosiebestendigheid tegen een verscheidenheid aan chemicaliën en gassen.
Hoge sterkte en stijfheid: biedt betrouwbare ondersteuning om vervorming en schade te voorkomen.
Hoge precisie: Hoge verwerkingsnauwkeurigheid zorgt voor een stabiele werking in geautomatiseerde apparatuur.
Lage verontreiniging: Zeer zuiver SiC-materiaal vermindert het risico op verontreiniging, wat vooral belangrijk is voor ultraschone productieomgevingen.
Hoge mechanische eigenschappen: bestand tegen zware werkomgevingen met hoge temperaturen en hoge drukken.
Specifieke toepassingen van SiC Cantilever Paddle en het toepassingsprincipe ervan
Behandeling van siliciumwafels bij de productie van halfgeleiders:
SiC Cantilever Paddle wordt voornamelijk gebruikt voor het hanteren en ondersteunen van siliciumwafels tijdens de productie van halfgeleiders. Deze processen omvatten meestal reinigen, etsen, coaten en warmtebehandeling. Toepassingsprincipe:
Hantering van siliciumwafels: SiC Cantilever Paddle is ontworpen om siliciumwafels veilig vast te klemmen en te verplaatsen. Tijdens hoge temperatuur- en chemische behandelingsprocessen zorgen de hoge hardheid en sterkte van het SiC-materiaal ervoor dat de siliciumwafel niet beschadigd of vervormd raakt.
Chemisch Vapour Deposition (CVD) proces:
Bij het CVD-proces wordt SiC Cantilever Paddle gebruikt om siliciumwafels te vervoeren, zodat dunne films op hun oppervlakken kunnen worden afgezet. Toepassingsprincipe:
Bij het CVD-proces wordt de SiC Cantilever Paddle gebruikt om de siliciumwafel in de reactiekamer te fixeren, en de gasvormige precursor ontleedt bij hoge temperatuur en vormt een dunne film op het oppervlak van de siliciumwafel. De chemische corrosieweerstand van SiC-materiaal zorgt voor een stabiele werking onder hoge temperaturen en een chemische omgeving.
Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide | |
Eigendom | Typische waarde |
Werktemperatuur (°C) | 1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving) |
SiC-inhoud | > 99,96% |
Gratis Si-inhoud | < 0,1% |
Bulkdichtheid | 2,60-2,70 g/cm3 |
Schijnbare porositeit | < 16% |
Compressie sterkte | > 600 MPa |
Koude buigsterkte | 80-90 MPa (20°C) |
Hete buigsterkte | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermische uitzetting @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Thermische geleidbaarheid @1200°C | 23 W/m•K |
Elasticiteitsmodulus | 240 GPa |
Bestand tegen thermische schokken | Extreem goed |