SiC-gecoate siliciumcarbidewaferboot

VeTek Semiconductor is een professionele fabrikant en leverancier in China voor SiC-gecoate siliciumcarbide waferboten, met jarenlange ervaring in R&D en productie, die de kwaliteit goed kan controleren en een concurrerende prijs kan bieden. Welkom voor uw bezoek aan onze fabriek en verdere discussie over samenwerking.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

VeTek Semiconductor is een Chinese fabrikant en leverancier die voornamelijk SiC-gecoate siliciumcarbidewaferboten produceert met vele jaren ervaring. Ik hoop een zakelijke relatie met u op te bouwen. SiC-gecoate siliciumcarbidewafelboot wordt gebruikt in halfgeleiderdiffusieovens om de wafels te vervoeren voor verschillende hogetemperatuurprocessen zoals ionenimplantatie, diffusie en gloeien. Het kan een stabiele omgeving voor de wafels bieden, waardoor temperatuuruniformiteit en consistentie tijdens de verwerking worden gegarandeerd.

SiC-gecoate siliciumcarbidewafelboten hebben een hogere hittebestendigheid en chemische stabiliteit, waardoor ze bij hogere temperaturen kunnen werken en een langere levensduur bieden. Bovendien hebben ze lagere materiaalverdampingssnelheden en lagere gasadsorptiesnelheden, waardoor de impact van onzuiverheden op de wafelverwerking wordt verminderd.

We kunnen verschillende soorten siliciumcarbide waferboten vervaardigen, zoals horizontale waferboten, verticale waferboten en andere op maat gemaakte boten.

Voordelen van ons hoogzuivere siliciumcarbide:

1. Stabiliteit bij hoge temperaturen

2. Chemische inertie

3. Lage onzuiverheidsinhoud

4. Thermische geleidbaarheid

Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide

Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide
Eigendom	Typische waarde
Werktemperatuur (°C)	1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving)
SiC-inhoud	> 99,96%
Gratis Si-inhoud	< 0,1%
Bulkdichtheid	2,60-2,70 g/cm3
Schijnbare porositeit	< 16%
Compressie sterkte	> 600 MPa
Koude buigsterkte	80-90 MPa (20°C)
Hete buigsterkte	90-100 MPa (1400°C)
Thermische uitzetting @1500°C	4,70 10-6/°C
Thermische geleidbaarheid @1200°C	23 W/m•K
Elasticiteitsmodulus	240 GPa
Bestand tegen thermische schokken	Extreem goed