De zeer zuivere siliciumcarbidewaferboot van VeTek Semiconductor is gemaakt van extreem zuiver siliciumcarbidemateriaal met uitstekende thermische stabiliteit, mechanische sterkte en chemische bestendigheid. Hoogzuivere siliciumcarbide-waferboot wordt gebruikt in toepassingen in de hete zone bij de productie van halfgeleiders, vooral in omgevingen met hoge temperaturen, en speelt een belangrijke rol bij het beschermen van wafers, het transporteren van materialen en het handhaven van stabiele processen. VeTek Semiconductor zal hard blijven werken aan het innoveren en verbeteren van de prestaties van de hoogzuivere siliciumcarbidewaferboot om aan de veranderende behoeften van de halfgeleiderproductie te voldoen. We kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
Als professionele fabrikant wil VeTek Semiconductor u graag hoogwaardige siliciumcarbidewaferboten bieden.
Uitstekende thermische prestaties: de zeer zuivere siliciumcarbide waferboot van VeTek Semiconductor heeft uitstekende thermische prestaties, is stabiel in omgevingen met hoge temperaturen en heeft een uitstekende thermische geleidbaarheid, waardoor ze kunnen werken bij temperaturen ver boven de omgevingstemperatuur. Dit maakt de zeer zuivere siliciumcarbide-wafelboot ideaal voor toepassingen met hoog vermogen en hoge temperaturen.
Uitstekende corrosieweerstand: Hoogzuivere siliciumcarbide-waferboot is een belangrijk hulpmiddel voor de productie van halfgeleiders en heeft een sterke weerstand tegen verschillende corrosieve stoffen. Als betrouwbare drager is het bestand tegen de gevolgen van hoge temperaturen en corrosie in een chemische omgeving, waardoor de veilige en effectieve verwerking van siliciumcarbidewafels wordt gegarandeerd. Als betrouwbare drager is het bestand tegen de gevolgen van hoge temperaturen en corrosie in een chemische omgeving, waardoor de veilige en effectieve verwerking van siliciumcarbidewafels wordt gegarandeerd.
Dimensionale integriteit: De zeer zuivere siliciumcarbide waferboot krimpt niet tijdens het sinterproces, waardoor de dimensionale integriteit behouden blijft en restspanningen worden geëlimineerd die ervoor kunnen zorgen dat onderdelen kromtrekken of barsten. Dit maakt de vervaardiging van complex gevormde onderdelen met nauwkeurige afmetingen mogelijk. Of het nu gaat om de vervaardiging van halfgeleiderapparaten of andere industriële gebieden, de zeer zuivere siliciumcarbide waferboot biedt betrouwbare maatvoering om ervoor te zorgen dat onderdelen aan de specificaties voldoen.
Als veelzijdig hulpmiddel kan de hoogzuivere siliciumcarbidewaferboot van VeTek Semiconductor worden toegepast op een verscheidenheid aan halfgeleiderproductietechnologieën, waaronder epitaxiale groei en chemische dampafzetting. Het duurzame ontwerp en de niet-reactieve aard maken de hoogzuivere siliciumcarbidewafelboot geschikt voor een verscheidenheid aan verwerkingschemie, waardoor hij zich soepel kan aanpassen aan verschillende verwerkingsomgevingen.
Bij de productie van halfgeleiders zijn epitaxiale groei en chemische dampafzetting gebruikelijke processtappen die worden gebruikt om hoogwaardige wafers en dunne films te laten groeien. De hoogzuivere SiC-boot speelt een belangrijke rol als drager, die bestand is tegen de invloed van hoge temperaturen en chemicaliën om nauwkeurige groei- en depositieprocessen te garanderen.
Naast het duurzame ontwerp is de hoogzuivere SiC-boot ook niet-reactief. Dit betekent dat het niet nadelig reageert met proceschemicaliën, waardoor de integriteit en prestaties van de boot behouden blijven. Dit biedt halfgeleiderfabrikanten een betrouwbaar hulpmiddel om consistentie en herhaalbaarheid in het productieproces te garanderen.
Fysische eigenschappen van herkristalliseerd siliciumcarbide | |
Eigendom | Typische waarde |
Werktemperatuur (°C) | 1600°C (met zuurstof), 1700°C (reducerende omgeving) |
SiC-inhoud | > 99,96% |
Gratis Si-inhoud | < 0,1% |
Bulkdichtheid | 2,60-2,70 g/cm3 |
Schijnbare porositeit | < 16% |
Compressie sterkte | > 600 MPa |
Koude buigsterkte | 80-90 MPa (20°C) |
Hete buigsterkte | 90-100 MPa (1400°C) |
Thermische uitzetting @1500°C | 4,70 10-6/°C |
Thermische geleidbaarheid @1200°C | 23 W/m•K |
Elasticiteitsmodulus | 240 GPa |
Bestand tegen thermische schokken | Extreem goed |