Aixtron Satellietwaferdrager

Aixtron Satellite Wafer Carrier is een integraal onderdeel van AIXTRON MOCVD-apparatuur, speciaal gebruikt om wafers te vervoeren voor epitaxiale groei. Het is bijzonder geschikt voor deepitaxiale groeiproces van GaN- en siliciumcarbide (SiC)-apparaten. Het unieke "satelliet"-ontwerp garandeert niet alleen de uniformiteit van de gasstroom, maar verbetert ook de uniformiteit van de filmafzetting op het waferoppervlak.

Aixtron'sdragers van wafelszijn meestal van gemaaktsiliciumcarbide (SiC)of CVD-gecoat grafiet. Onder hen heeft siliciumcarbide (SiC) een uitstekende thermische geleidbaarheid, hoge temperatuurbestendigheid en een lage thermische uitzettingscoëfficiënt. CVD-gecoat grafiet is grafiet gecoat met een siliciumcarbidefilm via een chemisch dampafzettingsproces (CVD), wat de corrosieweerstand en mechanische sterkte kan verbeteren. SiC en gecoate grafietmaterialen zijn bestand tegen temperaturen tot 1.400 °C–1.600 °C en hebben een uitstekende thermische stabiliteit bij hoge temperaturen, wat cruciaal is voor het epitaxiale groeiproces.

Aixtron Satellite Wafer Carrier wordt voornamelijk gebruikt voor het vervoeren en roteren van wafers in deMOCVD-procesom een ​​uniforme gasstroom en uniforme afzetting tijdens epitaxiale groei te garanderen.De specifieke functies zijn als volgt:

Waferrotatie en uniforme afzetting: Door de rotatie van de Aixtron Satellite Carrier kan de wafer een stabiele beweging behouden tijdens epitaxiale groei, waardoor gas gelijkmatig over het waferoppervlak kan stromen om een ​​uniforme afzetting van materialen te garanderen.

Lager en stabiliteit bij hoge temperaturen: Siliciumcarbide of gecoate grafietmaterialen zijn bestand tegen temperaturen tot 1.400°C–1.600°C. Deze eigenschap zorgt ervoor dat de wafel niet zal vervormen tijdens epitaxiale groei bij hoge temperaturen, terwijl wordt voorkomen dat de thermische uitzetting van de drager zelf het epitaxiale proces beïnvloedt.

Verminderde deeltjesgeneratie: Hoogwaardige dragermaterialen (zoals SiC) hebben gladde oppervlakken die de vorming van deeltjes tijdens het opdampen verminderen, waardoor de kans op verontreiniging wordt geminimaliseerd, wat van cruciaal belang is voor het produceren van zeer zuivere, hoogwaardige halfgeleidermaterialen.

De Aixtron Satellite Wafer Carrier van VeTek Semiconductor is verkrijgbaar in 100 mm, 150 mm, 200 mm en zelfs grotere waferformaten, en kan op maat gemaakte productdiensten leveren op basis van uw apparatuur en procesvereisten. Wij hopen oprecht uw langetermijnpartner in China te zijn.

SEM-GEGEVENS VAN CVD SIC-FILMKRISTALSTRUCTUUR：

Aixtron Satellietwaferdrager Productiewinkels:

Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips: