Ultrapuur grafiet onderste halvemaan

VeTek Semiconductor is een toonaangevende leverancier van op maat gemaakte Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon in China, al vele jaren gespecialiseerd in geavanceerde materialen. Onze Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon is speciaal ontworpen voor SiC epitaxiale apparatuur en zorgt voor uitstekende prestaties. Gemaakt van ultrapuur geïmporteerd grafiet, biedt het betrouwbaarheid en duurzaamheid. Bezoek onze fabriek in China om onze hoogwaardige Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon uit de eerste hand te ontdekken.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

VeTek Semiconductor is een professionele fabrikant die zich toelegt op het leveren van Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon. Onze producten Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon zijn speciaal ontworpen voor SiC epitaxiale kamers en bieden superieure prestaties en compatibiliteit met verschillende apparatuurmodellen.

Functies:

Verbinding: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon is ontworpen om te worden aangesloten op kwartsbuizen, waardoor de gasstroom wordt vergemakkelijkt om de rotatie van de dragerbasis aan te drijven.

Temperatuurregeling: Het product maakt temperatuurregeling mogelijk, waardoor optimale omstandigheden in de reactiekamer worden gegarandeerd.

Contactloos ontwerp: onze Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon, geïnstalleerd in de reactiekamer, maakt geen direct contact met de wafers, waardoor de integriteit van het proces wordt gegarandeerd.

Toepassingsscenario:

Onze Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon dient als een cruciaal onderdeel in epitaxiale SiC-kamers, waar het helpt het onzuiverheidsgehalte onder de 5 ppm te houden. Door parameters zoals dikte en uniformiteit van de dopingconcentratie nauwlettend in de gaten te houden, garanderen we epitaxiale lagen van de hoogste kwaliteit.

Compatibiliteit:

De Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon van VeTek Semiconductor is compatibel met een breed scala aan apparatuurmodellen, waaronder LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH, enzovoort.

Wij nodigen u uit om onze fabriek in China te bezoeken om onze hoogwaardige Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon uit de eerste hand te ontdekken.

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristal structuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmte capaciteit	640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Warmtegeleiding	300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5 × 10-6K-1