Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet

VeTek-halfgeleider Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet is een siliciumcarbide (SiC) kristal geworden vanwege zijn superhoge temperatuurbestendigheid (smeltpunt rond 3880°C), uitstekende thermische stabiliteit, mechanische sterkte en chemische inertie in omgevingen met hoge temperaturen. Een onmisbaar materiaal in het groeiproces. Met name de poreuze structuur biedt veel technische voordelen voor dekristalgroeiproces. 

Het volgende is een gedetailleerde analyse vanTantaalcarbide gecoat poreus grafietkernrol:

● Verbeter de efficiëntie van de gasstroom en controleer procesparameters nauwkeurig

De microporeuze structuur van poreus grafiet kan de uniforme verdeling van reactiegassen (zoals carbidegas en stikstof) bevorderen, waardoor de atmosfeer in de reactiezone wordt geoptimaliseerd. Deze eigenschap kan lokale gasaccumulatie of turbulentieproblemen effectief vermijden, ervoor zorgen dat SiC-kristallen tijdens het groeiproces gelijkmatig worden belast en het defectpercentage aanzienlijk wordt verminderd. Tegelijkertijd maakt de poreuze structuur ook een nauwkeurige aanpassing van de gasdrukgradiënten mogelijk, waardoor de kristalgroeisnelheden verder worden geoptimaliseerd en de productconsistentie wordt verbeterd.

●  Verminder de accumulatie van thermische spanning en verbeter de kristalintegriteit

Bij operaties bij hoge temperaturen verminderen de elastische eigenschappen van poreus tantaalcarbide (TaC) de thermische spanningsconcentraties veroorzaakt door temperatuurverschillen aanzienlijk. Dit vermogen is vooral belangrijk bij het kweken van SiC-kristallen, waardoor het risico op thermische scheurvorming wordt verminderd, waardoor de integriteit van de kristalstructuur en de verwerkingsstabiliteit worden verbeterd.

●  Optimaliseer de warmteverdeling en verbeter de efficiëntie van het energieverbruik

Tantaalcarbidecoating geeft poreus grafiet niet alleen een hogere thermische geleidbaarheid, maar de poreuze eigenschappen ervan kunnen de warmte ook gelijkmatig verdelen, waardoor een zeer consistente temperatuurverdeling binnen het reactiegebied wordt gegarandeerd. Dit uniforme thermische beheer is de kernvoorwaarde voor het produceren van hoogzuiver SiC-kristal. Het kan ook de verwarmingsefficiëntie aanzienlijk verbeteren, het energieverbruik verminderen en het productieproces zuiniger en efficiënter maken.

●  Verbeter de corrosieweerstand en verleng de levensduur van de componenten

Gassen en bijproducten in omgevingen met hoge temperaturen (zoals de dampfase van waterstof of siliciumcarbide) kunnen ernstige corrosie van materialen veroorzaken. TaC Coating biedt een uitstekende chemische barrière tegen poreus grafiet, waardoor de corrosiesnelheid van het onderdeel aanzienlijk wordt verminderd, waardoor de levensduur ervan wordt verlengd. Bovendien zorgt de coating voor de langdurige stabiliteit van de poreuze structuur, waardoor de gastransporteigenschappen niet worden aangetast.

●  Blokkeert effectief de verspreiding van onzuiverheden en zorgt voor kristalzuiverheid

De onbeklede grafietmatrix kan sporen van onzuiverheden vrijgeven, en TaC Coating fungeert als een isolatiebarrière om te voorkomen dat deze onzuiverheden in een omgeving met hoge temperaturen in het SiC-kristal diffunderen. Dit afschermende effect is van cruciaal belang voor het verbeteren van de kristalzuiverheid en het helpen voldoen aan de strenge eisen van de halfgeleiderindustrie aan hoogwaardige SiC-materialen.

Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet van VeTek halfgeleider verbetert de procesefficiëntie en kristalkwaliteit aanzienlijk door de gasstroom te optimaliseren, thermische spanning te verminderen, de thermische uniformiteit te verbeteren, de corrosieweerstand te verbeteren en de diffusie van onzuiverheden tijdens het SiC-kristalgroeiproces te remmen. De toepassing van dit materiaal zorgt niet alleen voor een hoge precisie en zuiverheid bij de productie, maar verlaagt ook de bedrijfskosten aanzienlijk, waardoor het een belangrijke pijler wordt in de moderne halfgeleiderproductie.

Belangrijker nog is dat VeTeksemi zich al lange tijd inzet voor het leveren van geavanceerde technologie en productoplossingen aan de halfgeleiderindustrie, en ondersteuning biedt aan op maat gemaakte Tantalum Carbide Coated Porous Graphite-productdiensten. Wij kijken er oprecht naar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Fysische eigenschappen van tantaalcarbidecoating

VeTek halfgeleider Tantaalcarbide gecoat poreus grafiet productiewerkplaatsen