TaC-coating planetaire susceptor

Op het gebied van de productie van halfgeleiders speelt de TaC Coating Planetary Susceptor een cruciale rol. Het wordt veel gebruikt bij de groei van epitaxiale lagen van siliciumcarbide (SiC) in apparatuur zoals het Aixtron G5-systeem. Bovendien biedt de TaC Coating Planetary Susceptor, bij gebruik als buitenschijf bij tantaalcarbide (TaC) coatingafzetting voor SiC-epitaxie, essentiële ondersteuning en stabiliteit. Het zorgt voor een uniforme afzetting van de tantaalcarbidelaag, wat bijdraagt ​​aan de vorming van hoogwaardige epitaxiale lagen met uitstekende oppervlaktemorfologie en gewenste filmdikte. De chemische inertheid van de TaC-coating voorkomt ongewenste reacties en verontreiniging, waardoor de integriteit van de epitaxiale lagen behouden blijft en hun superieure kwaliteit wordt gegarandeerd.

De uitzonderlijke thermische geleidbaarheid van de TaC-coating maakt een efficiënte warmteoverdracht mogelijk, bevordert een uniforme temperatuurverdeling en minimaliseert thermische spanning tijdens het epitaxiale groeiproces. Dit resulteert in de productie van hoogwaardige epitaxiale SiC-lagen met verbeterde kristallografische eigenschappen en verbeterde elektrische geleidbaarheid.

De precieze afmetingen en robuuste constructie van de TaC Coating Planetary Disk maken hem eenvoudig te integreren in bestaande systemen, waardoor naadloze compatibiliteit en efficiënte werking worden gegarandeerd. De betrouwbare prestaties en hoogwaardige TaC-coating dragen bij aan consistente en uniforme resultaten bij SiC-epitaxieprocessen.

Vertrouw op VeTek Semiconductor en onze TaC Coating Planetary Disk voor uitzonderlijke prestaties en betrouwbaarheid bij SiC-epitaxie. Ervaar de voordelen van onze innovatieve oplossingen, waarmee u voorop loopt in de technologische vooruitgang in de halfgeleiderindustrie.

TaC-coating en SiC-coating reserveonderdelen die wij leveren:

Productparameter van de TaC Coating Planetaire Susceptor:

Industriële keten:

Productie winkel