TaC-coatinghouder

De TaC Coating Chuck van VeTek Semiconductor is de ideale oplossing voor het bereiken van uitzonderlijke resultaten in het SiC EPI-proces. Met zijn TaC-coating, hoge temperatuurbestendigheid en chemische inertie stelt ons product u in staat hoogwaardige kristallen met precisie en betrouwbaarheid te produceren. Welkom bij ons.

TaC (tantaalcarbide) is een materiaal dat gewoonlijk wordt gebruikt om het oppervlak van interne onderdelen van epitaxiale apparatuur te coaten. Het heeft de volgende kenmerken:

● Uitstekende weerstand tegen hoge temperaturen: TaC-coatings zijn bestand tegen temperaturen tot 2200°C, waardoor ze ideaal zijn voor toepassingen in omgevingen met hoge temperaturen, zoals epitaxiale reactiekamers.

● Hoge hardheid: De hardheid van TaC bereikt ongeveer 2000 HK, wat veel harder is dan algemeen gebruikt roestvrij staal of een aluminiumlegering, wat oppervlakteslijtage effectief kan voorkomen.

● Sterke chemische stabiliteit: TaC-coating presteert goed in chemisch corrosieve omgevingen en kan de levensduur van epitaxiale apparatuurcomponenten aanzienlijk verlengen.

● Goede elektrische geleidbaarheid: TaC-coating heeft een goede elektrische geleidbaarheid, wat bevorderlijk is voor elektrostatische afgifte en warmtegeleiding.

Deze eigenschappen maken de TaC-coating tot een ideaal materiaal voor het vervaardigen van kritische onderdelen zoals interne bussen, reactiekamerwanden en verwarmingselementen voor epitaxiale apparatuur. Door deze componenten te coaten met TaC kunnen de algehele prestaties en levensduur van de epitaxiale apparatuur worden verbeterd.

Voor epitaxie van siliciumcarbide kan het stuk TaC-coating ook een belangrijke rol spelen. Het oppervlak van TaC coating is glad en dicht, wat bevorderlijk is voor de vorming van hoogwaardige siliciumcarbidefilms. Tegelijkertijd kan de uitstekende thermische geleidbaarheid van TaC de uniformiteit van de temperatuurverdeling binnen de apparatuur helpen verbeteren, waardoor de nauwkeurigheid van de temperatuurregeling van het epitaxiale proces wordt verbeterd en uiteindelijk een epitaxiale laaggroei van siliciumcarbide van hogere kwaliteit wordt bereikt.