Siliciumcarbide keramische coating grafietverwarmer

VeTek-halfgeleider Siliciumcarbide keramische coating Grafietverwarmercombineert de uitstekende elektrische en thermische geleidbaarheid van grafiet met de hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand en slijtvastheid van keramische silicium-koolstofcoating, en is ontworpen voor zware halfgeleiderproductieomgevingen. 

Siliciumcarbide keramische coating grafietverwarmerwordt voornamelijk gebruikt in apparatuur voor vacuümcoating (verdamping), en de algemeen gebruikte methoden zijn PCD (Plasma Chemical Drying) en PVD (Physical vapour deposition). Dit product heeft een belangrijke rol gespeeld bij het bevorderen van de technologische vooruitgang en het verbeteren van de productie-efficiëntie in de halfgeleiderindustrie.Wij kijken oprecht uit naar verdere samenwerking met u.

De materiaal- en structurele kenmerken van de siliciumcarbide keramische coating grafietverwarmer zijn als volgt:

Grafiet substraat: Grafiet staat bekend om zijn hoge thermische geleidbaarheid en lage thermische uitzettingscoëfficiënt. Het kan snel reageren op temperatuurveranderingen en de structurele stabiliteit behouden bij hoge temperaturen.

Silicium-koolstof-keramische coating: SiC-coating wordt gelijkmatig op het grafietoppervlak aangebracht door middel van chemische dampafzetting of andere geavanceerde processen. SiC heeft een extreem hoge hardheid en chemische corrosieweerstand, die het grafietsubstraat kan beschermen tegen oxidatie bij hoge temperaturen en corrosieve omgevingen.

Het speciale structurele productontwerp van de Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater is bepalendde onvervangbare productvoordelen van dit product in het halfgeleiderverwerkingsproces:

Efficiënte en gelijkmatige verwarming:

Thermische geleidbaarheid: Dankzij de hoge thermische geleidbaarheid van grafiet kan de verwarmer snel de vereiste temperatuur bereiken en behouden, en de SiC-coating zorgt voor een uniforme warmteverdeling. Dit is vooral belangrijk voor halfgeleiderprocessen die nauwkeurige temperatuurregeling vereisen, zoals snelle thermische verwerking (RTP) en chemische dampafzetting (CVD).

Uniformiteit van de temperatuur: Door een uniforme warmteverdeling kan de Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater de thermische spanning en temperatuurgradiënt effectief verminderen, waardoor de consistentie en kwaliteitsstabiliteit van halfgeleiderwafels tijdens het verwarmingsproces wordt gegarandeerd.

Bescherming tegen corrosie:

Chemische resistentie: De chemische corrosieweerstand van de SiC-coating zorgt ervoor dat de verwarmer stabiel en langdurig kan werken in corrosieve gas- en chemische omgevingen, waardoor schade aan het grafietsubstraat wordt vermeden. Dit kenmerk is vooral van cruciaal belang bij processen zoals chemische dampafzetting (CVD) en plasma-versterkte chemische dampafzetting (PECVD).

Oxidatie weerstand: Bij hoge temperaturen kan de SiC-coating oxidatie van het grafietsubstraat voorkomen, de levensduur van de verwarming verlengen en de frequentie en kosten van apparatuuronderhoud verlagen.

Verminder deeltjesverontreiniging:

Oppervlaktestabiliteit: SiC-coating is niet alleen slijtvast, maar voorkomt ook dat deeltjes van het materiaaloppervlak vallen als gevolg van thermische cycli of chemische reacties, waardoor het risico op deeltjesverontreiniging die kan optreden tijdens de productie van halfgeleiders wordt verminderd en een zeer zuivere procesomgeving wordt gegarandeerd.

Verbeter de procesbetrouwbaarheid en efficiëntie:

Ontwerp met lange levensduur: Dankzij de combinatie van de mechanische sterkte van grafiet en de slijtvastheid van de SiC-coating, kan de Silicon Carbide Ceramic Coating Graphite Heater lange tijd een hoog rendement behouden onder zware procesomstandigheden, waardoor de algehele betrouwbaarheid van de apparatuur aanzienlijk wordt verbeterd.

Efficiënt energieverbruik: De hoge thermische geleidbaarheid van grafiet en de stabiliteit bij hoge temperaturen van de SiC-coating zorgen ervoor dat de verwarmer het energieverbruik kan verminderen en tegelijkertijd de nauwkeurigheid van de temperatuurregeling kan verbeteren, waardoor de algehele efficiëntie van de halfgeleiderproductie wordt verbeterd.

Fundamentele fysieke eigenschappen vanSiliciumcarbide keramische coating Grafietverwarmer:

VeTek-halfgeleiderSiliciumcarbide keramische coating Grafietverwarmerwinkels:

Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips:

/ander-proces