In de halfgeleiderindustrie heeft de depositietechnologie van dunne-filmmaterialen, nu de omvang van de apparaten steeds kleiner wordt, voor ongekende uitdagingen gezorgd. Atomic Layer Deposition (ALD), een dunnefilmdepositietechnologie die nauwkeurige controle op atomair niveau kan bereiken, is een......
Lees verderHet is ideaal om geïntegreerde schakelingen of halfgeleiderapparaten op een perfecte kristallijne basislaag te bouwen. Het epitaxieproces (epi) bij de vervaardiging van halfgeleiders heeft tot doel een fijne enkelkristallijne laag, gewoonlijk ongeveer 0,5 tot 20 micron, op een enkelkristallijn subst......
Lees verderHet belangrijkste verschil tussen epitaxie en atomaire laagdepositie (ALD) ligt in hun filmgroeimechanismen en bedrijfsomstandigheden. Epitaxie verwijst naar het proces van het laten groeien van een dunne kristallijne film op een kristallijn substraat met een specifieke oriëntatierelatie, waarbij de......
Lees verderCVD TAC-coating is een proces voor het vormen van een dichte en duurzame coating op een substraat (grafiet). Deze methode omvat het afzetten van TaC op het substraatoppervlak bij hoge temperaturen, wat resulteert in een tantaalcarbide (TaC) coating met uitstekende thermische stabiliteit en chemische......
Lees verder