Nieuws

Wat is stapgecontroleerde epitaxiale groei？

De problemen bij het etsproces

De etstechnologie bij de productie van halfgeleiders stuit vaak op problemen zoals belastingseffect, microgroefeffect en oplaadeffect, die de productkwaliteit beïnvloeden. Verbeteroplossingen omvatten het optimaliseren van de plasmadichtheid, het aanpassen van de reactiegassamenstelling, het verbete......

Wat is heetgeperst SiC-keramiek?

Heet persen sinteren is de belangrijkste methode voor het bereiden van hoogwaardige SiC-keramiek. Het proces van heetpersen sinteren omvat: het selecteren van zeer zuiver SiC-poeder, persen en vormen onder hoge temperatuur en hoge druk, en vervolgens sinteren. SiC-keramiek vervaardigd volgens deze m......

Toepassing van op koolstof gebaseerde thermische veldmaterialen bij de kristalgroei van siliciumcarbide

De belangrijkste groeimethoden van siliciumcarbide (SiC) zijn onder meer PVT, TSSG en HTCVD, elk met duidelijke voordelen en uitdagingen. Op koolstof gebaseerde thermische veldmaterialen zoals isolatiesystemen, smeltkroezen, TaC-coatings en poreus grafiet verbeteren de kristalgroei door stabiliteit,......

Waarom krijgt SiC-coating zoveel aandacht? - VeTek-halfgeleider

SiC heeft een hoge hardheid, thermische geleidbaarheid en corrosieweerstand, waardoor het ideaal is voor de productie van halfgeleiders. CVD SiC-coating wordt gecreëerd door chemische dampafzetting en zorgt voor een hoge thermische geleidbaarheid, chemische stabiliteit en een bijpassende roostercons......

Waarom valt 3C-SiC op tussen de vele SiC-polymorfen? - VeTek-halfgeleider

Siliciumcarbide (SiC) is een uiterst nauwkeurig halfgeleidermateriaal dat bekend staat om zijn uitstekende eigenschappen zoals hoge temperatuurbestendigheid, corrosieweerstand en hoge mechanische sterkte. Het heeft meer dan 200 kristalstructuren, waarbij 3C-SiC het enige kubieke type is, dat superie......