LPE SiC EPI Halve Maan

LPE SiC Epi Halfmoon van VeTek Semiconductor, een revolutionair product ontworpen om SiC-epitaxieprocessen in LPE-reactoren te verbeteren. Deze geavanceerde oplossing beschikt over verschillende belangrijke kenmerken die superieure prestaties en efficiëntie tijdens uw productieactiviteiten garanderen. Ik kijk ernaar uit om een langdurige samenwerking met u op te zetten.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als professionele fabrikant wil VeTek Semiconductor u LPE SiC Epi Halfmoon van hoge kwaliteit bieden.

De LPE SiC Epi Halfmoon biedt uitzonderlijke precisie en nauwkeurigheid en garandeert een uniforme groei en hoogwaardige epitaxiale lagen. Het innovatieve ontwerp en de geavanceerde productietechnieken zorgen voor optimale waferondersteuning en thermisch beheer, waardoor consistente resultaten worden geleverd en defecten worden geminimaliseerd.

Bovendien is de LPE SiC Epi Halfmoon gecoat met een premium tantaalcarbide (TaC) laag, waardoor de prestaties en duurzaamheid worden verbeterd. Deze TaC-coating verbetert de thermische geleidbaarheid, chemische weerstand en slijtvastheid aanzienlijk, waardoor het product wordt beschermd en de levensduur wordt verlengd.

De integratie van de TaC-coating in de LPE SiC Epi Halfmoon brengt aanzienlijke verbeteringen in uw processtroom. Het verbetert het thermisch beheer, zorgt voor een efficiënte warmteafvoer en handhaaft een stabiele groeitemperatuur. Deze verbetering leidt tot verbeterde processtabiliteit, verminderde thermische spanning en verbeterde algehele opbrengst.

Bovendien minimaliseert de TaC-coating materiaalverontreiniging, waardoor een schoner resultaat mogelijk is en meer

gecontroleerd epitaxieproces. Het fungeert als een barrière tegen ongewenste reacties en onzuiverheden, wat resulteert in epitaxiale lagen met een hogere zuiverheid en verbeterde apparaatprestaties.

Kies de LPE SiC Epi Halfmoon van VeTek Semiconductor voor ongeëvenaarde epitaxieprocessen. Ervaar de voordelen van het geavanceerde ontwerp, de precisie en de transformerende kracht van de TaC-coating bij het optimaliseren van uw productieactiviteiten. Verbeter uw prestaties en bereik uitzonderlijke resultaten met de toonaangevende oplossing van VeTek Semiconductor.

Productparameter van de LPE SiC Epi Halfmoon:

Fysische eigenschappen van TaC-coating
Dikte	14,3 (g/cm³)
Specifieke emissiviteit	0.3
Thermische expansiecoëfficiënt	6.3 10-6/K
Hardheid (HK)	2000 Hongkong
Weerstand	1×10-5 Ohm*cm
Thermische stabiliteit	<2500℃
Grafietgrootte verandert	-10~-20um
Bekledingsdikte	≥20um typische waarde (35um±10um)