ALD Planetaire Susceptor

ALD-proces, betekent Atomic Layer Epitaxy-proces. Fabrikanten van Vetek Semiconductor- en ALD-systemen hebben SiC-gecoate ALD-planetaire susceptors ontwikkeld en geproduceerd die voldoen aan de hoge eisen van het ALD-proces om de luchtstroom gelijkmatig over het substraat te verdelen. Tegelijkertijd zorgt de zeer zuivere CVD SiC-coating van Vetek Semiconductor voor zuiverheid in het proces. Welkom om de samenwerking met ons te bespreken.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als professionele fabrikant wil Vetek Semiconductor u graag een SiC-gecoate ALD planetaire susceptor leveren.

Het ALD-proces, bekend als Atomic Layer Epitaxy, geldt als een toppunt van precisie in de technologie voor dunne-filmdepositie. Vetek Semiconductor heeft, in samenwerking met toonaangevende fabrikanten van ALD-systemen, een pioniersrol vervuld in de ontwikkeling en productie van geavanceerde SiC-gecoate ALD-planetaire susceptoren. Deze innovatieve susceptoren zijn zorgvuldig ontworpen om de strenge eisen van het ALD-proces te overtreffen en zorgen voor een uniforme verdeling van de luchtstroom over het substraat met ongeëvenaarde nauwkeurigheid en efficiëntie.

Bovendien wordt de toewijding van Vetek Semiconductor aan uitmuntendheid belichaamd door het gebruik van hoogzuivere CVD SiC-coatings, die een zuiverheidsniveau garanderen dat cruciaal is voor het succes van elke depositiecyclus. Deze toewijding aan kwaliteit verbetert niet alleen de procesbetrouwbaarheid, maar verhoogt ook de algehele prestaties en reproduceerbaarheid van ALD-processen in diverse toepassingen.

Voordelen van ALD-technologieoverzicht:

Nauwkeurige diktecontrole: Bereik een filmdikte van minder dan nanometer met uitstekende herhaalbaarheid door de depositiecycli te controleren.

Gladheid van het oppervlak: Perfecte 3D-conformiteit en 100% stapdekking zorgen voor gladde coatings die de kromming van het substraat volledig volgen.

Brede toepasbaarheid: Kan worden aangebracht op verschillende objecten, van wafels tot poeders, geschikt voor gevoelige substraten.

Aanpasbare materiaaleigenschappen: Eenvoudige aanpassing van materiaaleigenschappen voor oxiden, nitriden, metalen, enz.

Breed procesvenster: ongevoeligheid voor temperatuur- of precursorvariaties, bevorderlijk voor batchproductie met perfecte uniformiteit van de laagdikte.

Wij nodigen u van harte uit om met ons in dialoog te gaan om mogelijke samenwerkingen en partnerschappen te verkennen. Samen kunnen we nieuwe mogelijkheden ontsluiten en innovatie stimuleren op het gebied van dunnefilmdepositietechnologie.

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristal structuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmte capaciteit	640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Warmtegeleiding	300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5 × 10-6K-1