Susceptor met SiC-coating

Vetek Semiconductor richt zich op onderzoek, ontwikkeling en industrialisatie van CVD SiC-coating en CVD TaC-coating. Als we de SiC-coating susceptor als voorbeeld nemen, wordt het product zeer nauwkeurig verwerkt met hoge precisie, dichte CVD SIC-coating, hoge temperatuurbestendigheid en sterke corrosieweerstand. Een onderzoek naar ons is welkom.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

U kunt er zeker van zijn dat u een SiC-coating susceptor in onze fabriek koopt.

Als fabrikant van CVD SiC-coatings wil VeTek Semiconductor u graag SiC-coatingsusceptoren leveren die zijn gemaakt van zeer zuiver grafiet en SiC-coating susceptor (minder dan 5 ppm). Welkom bij ons.

Bij Vetek Semiconductor zijn we gespecialiseerd in technologisch onderzoek, ontwikkeling en productie en bieden we een reeks geavanceerde producten voor de industrie. Onze belangrijkste productlijn omvat CVD SiC-coating + hoogzuiver grafiet, SiC-coating susceptor, halfgeleiderkwarts, CVD TaC-coating + hoogzuiver grafiet, stijf vilt en andere materialen.

Een van onze vlaggenschipproducten is de SiC Coating Susceptor, ontwikkeld met innovatieve technologie om te voldoen aan de strenge eisen van de productie van epitaxiale wafers. Epitaxiale wafers moeten een strakke golflengteverdeling en lage oppervlaktedefectniveaus vertonen, waardoor onze SiC-coating susceptor een essentieel onderdeel is bij het bereiken van deze cruciale parameters.

Voordelen van onze SiC-coating Susceptor:

Bescherming van het basismateriaal: De CVD SiC-coating fungeert als een beschermende laag tijdens het epitaxiale proces en beschermt het basismateriaal effectief tegen erosie en schade veroorzaakt door de externe omgeving. Deze beschermende maatregel verlengt de levensduur van de apparatuur aanzienlijk.

Uitstekende thermische geleidbaarheid: Onze CVD SiC-coating beschikt over een uitstekende thermische geleidbaarheid, waardoor warmte efficiënt wordt overgedragen van het basismateriaal naar het coatingoppervlak. Dit verbetert de efficiëntie van het thermische beheer tijdens epitaxie, waardoor optimale bedrijfstemperaturen voor de apparatuur worden gegarandeerd.

Verbeterde filmkwaliteit: De CVD SiC-coating zorgt voor een vlak en uniform oppervlak, waardoor een ideale basis ontstaat voor filmgroei. Het vermindert defecten die het gevolg zijn van niet-passende roosters, verbetert de kristalliniteit en kwaliteit van de epitaxiale film en verbetert uiteindelijk de prestaties en betrouwbaarheid ervan.

Kies onze SiC-coatingsusceptor voor uw productiebehoeften voor epitaxiale wafers en profiteer van verbeterde bescherming, superieure thermische geleidbaarheid en verbeterde filmkwaliteit. Vertrouw op de innovatieve oplossingen van VeTek Semiconductor om uw succes in de halfgeleiderindustrie te stimuleren.

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristal structuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmte capaciteit	640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Warmtegeleiding	300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5 × 10-6K-1