Verzamelcentrum voor SiC-coating

VeTek Semiconductor SiC Coating Collector Center speelt een belangrijke rol bij de productie van het Semiconducor EPI-proces. Het is een van de belangrijkste componenten die worden gebruikt voor gasdistributie en -controle in een epitaxiale reactiekamer. Welkom bij vragen over SiC-coating en TaC-coating in onze fabriek.

De rol van het SiC Coating Collector Center is als volgt:

Gasdistributie: SiC Coating Collector Center wordt gebruikt om verschillende gassen in de epitaxiale reactiekamer te introduceren. Het heeft meerdere inlaten en uitlaten die verschillende gassen naar de gewenste locaties kunnen distribueren om aan specifieke epitaxiale groeibehoeften te voldoen.

Gascontrole: SiC Coating Collector Center zorgt voor nauwkeurige controle van elk gas via kleppen en stroomregelapparatuur. Deze nauwkeurige gascontrole is essentieel voor het succes van het epitaxiale groeiproces om de gewenste gasconcentratie en stroomsnelheid te bereiken, waardoor de kwaliteit en consistentie van de film worden gegarandeerd.

Uniformiteit: Het ontwerp en de indeling van de centrale gasopvangring draagt ​​bij aan het bereiken van een uniforme gasverdeling. Via een redelijk gasstroompad en een redelijke distributiemodus wordt het gas gelijkmatig gemengd in de epitaxiale reactiekamer, om een ​​uniforme groei van de film te bereiken.

Bij de vervaardiging van epitaxiale producten speelt SiC Coating Collector Center een sleutelrol in de kwaliteit, dikte en uniformiteit van de film. Door een goede gasdistributie en -controle kan het SiC Coating Collector Center de stabiliteit en consistentie van het epitaxiale groeiproces garanderen, om epitaxiale films van hoge kwaliteit te verkrijgen.

Vergeleken met het grafietcollectorcentrum heeft het SiC gecoate collectorcentrum een ​​verbeterde thermische geleidbaarheid, verbeterde chemische inertie en superieure corrosieweerstand. De siliciumcarbidecoating verbetert het thermische beheersvermogen van het grafietmateriaal aanzienlijk, wat leidt tot een betere temperatuuruniformiteit en consistente filmgroei bij epitaxiale processen. Bovendien zorgt de coating voor een beschermende laag die bestand is tegen chemische corrosie, waardoor de levensduur van de grafietcomponenten wordt verlengd. Over het geheel genomen biedt het met siliciumcarbide gecoate grafietmateriaal superieure thermische geleidbaarheid, chemische inertheid en corrosieweerstand, waardoor verbeterde stabiliteit en hoogwaardige filmgroei bij epitaxiale processen worden gegarandeerd.

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Industriële keten:

Productie winkel