Met onze expertise in de productie van CVD SiC-coating presenteert VeTek Semiconductor met trots de Aixtron SiC Coating Collector Bottom. Deze SiC-coatingcollectorbodem is gemaakt van zeer zuiver grafiet en is gecoat met CVD SiC, waardoor een onzuiverheid onder de 5 ppm wordt gegarandeerd. Neem gerust contact met ons op voor meer informatie en vragen.
VeTek Semiconductor is een fabrikant die zich inzet voor het leveren van hoogwaardige CVD TaC-coating en CVD SiC-coating Collector Bottom en nauw samenwerkt met Aixtron-apparatuur om aan de behoeften van onze klanten te voldoen. Of het nu gaat om procesoptimalisatie of de ontwikkeling van nieuwe producten, wij staan klaar om u technische ondersteuning te bieden en al uw vragen te beantwoorden.
Aixtron SiC Coating Collector Top-, Collector Center- en SiC Coating Collector Bottom-producten. Deze producten zijn een van de belangrijkste componenten die worden gebruikt in geavanceerde halfgeleiderproductieprocessen.
De combinatie van Aixtron SiC-gecoate Collector Top, Collector Center en Collector Bottom in Aixtron-apparatuur speelt de volgende belangrijke rollen:
Thermisch beheer: Deze componenten hebben een uitstekende thermische geleidbaarheid en kunnen warmte effectief geleiden. Thermisch beheer is cruciaal bij de productie van halfgeleiders. SiC-coatings bij Collector Top, Collector Center en Silicon Carbide Coated Collector Bottom helpen bij het efficiënt verwijderen van warmte, het handhaven van de juiste procestemperaturen en het verbeteren van het thermisch beheer van apparatuur.
Chemische traagheid en corrosieweerstand: Aixtron SiC-gecoate Collector Top, Collector Center en SiC Coating Collector Bottom hebben een uitstekende chemische traagheid en zijn bestand tegen chemische corrosie en oxidatie. Hierdoor kunnen ze langdurig stabiel functioneren in agressieve chemische omgevingen, waardoor een betrouwbare beschermlaag ontstaat en de levensduur van de componenten wordt verlengd.
Ondersteuning van het verdampingsproces met elektronenbundels (EB): Deze componenten worden in Aixtron-apparatuur gebruikt om het verdampingsproces met elektronenbundels te ondersteunen. Het ontwerp en de materiaalkeuze van Collector Top, Collector Center en SiC Coating Collector Bottom helpen een uniforme filmafzetting te bereiken en zorgen voor een stabiel substraat om de filmkwaliteit en consistentie te garanderen.
Optimalisatie van de filmgroeiomgeving: Collector Top, Collector Center en SiC Coating Collector Bottom optimaliseren de filmgroeiomgeving in Aixtron-apparatuur. De chemische inertheid en thermische geleidbaarheid van de coating helpen onzuiverheden en defecten te verminderen en de kristalkwaliteit en consistentie van de film te verbeteren.
Door het gebruik van Aixtron SiC gecoate Collector Top, Collector Center en SiC Coating Collector Bottom kunnen thermisch beheer en chemische bescherming in halfgeleiderproductieprocessen worden bereikt, kan de filmgroeiomgeving worden geoptimaliseerd en kan de kwaliteit en consistentie van de film worden verbeterd. De combinatie van deze componenten in Aixtron-apparatuur zorgt voor stabiele procesomstandigheden en efficiënte halfgeleiderproductie.
Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating | |
Eigendom | Typische waarde |
Kristal structuur | FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd |
Dikte | 3,21 g/cm³ |
Hardheid | 2500 Vickers-hardheid (500 g belasting) |
Korrelgrootte | 2~10μm |
Chemische zuiverheid | 99,99995% |
Warmte capaciteit | 640 J·kg-1·K-1 |
Sublimatie temperatuur | 2700℃ |
Buigsterkte | 415 MPa RT 4-punts |
Young's Modulus | 430 Gpa 4pt bocht, 1300℃ |
Warmtegeleiding | 300W·m-1·K-1 |
Thermische uitzetting (CTE) | 4,5 × 10-6K-1 |