SiC gecoate grafiet susceptor voor MOCVD

VeTek Semiconductor is een toonaangevende fabrikant en leverancier van SiC-gecoate grafietsusceptors voor MOCVD in China, gespecialiseerd in SiC-coatingtoepassingen en epitaxiale halfgeleiderproducten voor de halfgeleiderindustrie. Onze MOCVD SiC-gecoate grafiet susceptors bieden concurrerende kwaliteit en prijzen en bedienen markten in heel Europa en Amerika. Wij streven ernaar om uw betrouwbare partner voor de lange termijn te worden bij het bevorderen van de productie van halfgeleiders.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

De SiC-gecoate grafietsusceptor van VeTek Semiconductor voor MOCVD is een zeer zuivere, met SiC gecoate grafietdrager, speciaal ontworpen voor epitaxiale laaggroei op waferchips. Als centraal onderdeel in de MOCVD-verwerking, meestal gevormd als een tandwiel of ring, beschikt het over een uitzonderlijke hittebestendigheid en corrosieweerstand, waardoor stabiliteit in extreme omgevingen wordt gegarandeerd.

Belangrijkste kenmerken van de MOCVD SiC gecoate grafiet susceptor:

● Schilferbestendige coating: Zorgt voor een uniforme dekking van de SiC-coating op alle oppervlakken, waardoor het risico op het loskomen van deeltjes wordt verminderd

● Uitstekend bestand tegen oxidatie bij hoge temperaturence: Blijft stabiel bij temperaturen tot 1600°C

● Hoge zuiverheid: Gefabriceerd door CVD chemische dampafzetting, geschikt voor chloreringsomstandigheden bij hoge temperaturen

● Superieure corrosiebestendigheid: Zeer goed bestand tegen zuren, logen, zouten en organische reagentia

● Geoptimaliseerd laminair luchtstroompatroon: Verbetert de uniformiteit van de luchtstroomdynamiek

● Uniforme thermische distributie: Zorgt voor een stabiele warmteverdeling tijdens processen op hoge temperatuur

● Besmettingspreventie: Voorkomt verspreiding van verontreinigingen of onzuiverheden, waardoor de wafel schoon blijft

Bij VeTek Semiconductor houden we ons aan strikte kwaliteitsnormen en leveren we betrouwbare producten en diensten aan onze klanten. We selecteren alleen hoogwaardige materialen en streven ernaar om aan de prestatie-eisen van de industrie te voldoen of deze zelfs te overtreffen. Onze SiC-gecoate grafietsusceptor voor MOCVD is een voorbeeld van deze toewijding aan kwaliteit. Neem contact met ons op voor meer informatie over hoe wij u kunnen ondersteunen bij de verwerking van halfgeleiderwafels.

CVD SIC-FILMKRISTALSTRUCTUUR:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristalstructuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmtecapaciteit	640 J·kg^-1·K^-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid	300W·m^-1·K^-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5×10^-6K^-1