Susceptor met SiC-coating van grafietvat

VeTek Semiconductor SiC Coated Graphite Barrel Susceptor is een geavanceerde oplossing die speciaal is ontworpen voor epitaxieprocessen in halfgeleiders, met name in LPE-reactoren. Deze zeer efficiënte wafertray is ontworpen om de groei van halfgeleidermaterialen te optimaliseren en superieure prestaties en betrouwbaarheid te garanderen in veeleisende productieomgevingen. 

De Graphite Barrel Susceptor-producten van Veteksemi hebben de volgende opmerkelijke voordelen

Weerstand tegen hoge temperaturen en chemicaliën: De met SiC gecoate tonvormige susceptor is vervaardigd om de ontberingen van toepassingen bij hoge temperaturen te weerstaan ​​en vertoont een opmerkelijke weerstand tegen thermische spanning en chemische corrosie. De SiC-coating beschermt het grafietsubstraat tegen oxidatie en andere chemische reacties die kunnen optreden in zware verwerkingsomgevingen. Deze duurzaamheid verlengt niet alleen de levensduur van het product, maar vermindert ook de frequentie van vervangingen, wat bijdraagt ​​aan lagere operationele kosten en een hogere productiviteit.

Uitzonderlijke thermische geleidbaarheid: Een van de opvallende kenmerken van de Susceptor met SiC-gecoate grafietton is de uitstekende thermische geleidbaarheid. Deze eigenschap zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling over de wafer, essentieel voor het bereiken van epitaxiale lagen van hoge kwaliteit. De efficiënte warmteoverdracht minimaliseert thermische gradiënten, die kunnen leiden tot defecten in halfgeleiderstructuren, waardoor de algehele opbrengst en prestaties van het epitaxieproces worden verbeterd.

Hoogzuiver oppervlak: het hoge puHet oppervlak van de CVD SiC Coated Barrel Susceptor is cruciaal voor het behoud van de integriteit van de halfgeleidermaterialen die worden verwerkt. Verontreinigingen kunnen de elektrische eigenschappen van halfgeleiders negatief beïnvloeden, waardoor de zuiverheid van het substraat een kritische factor wordt bij succesvolle epitaxie. Dankzij de verfijnde productieprocessen zorgt het met SiC gecoate oppervlak voor minimale verontreiniging, waardoor de kristalgroei van betere kwaliteit en de algehele prestaties van het apparaat worden bevorderd.

Toepassingen in het halfgeleiderepitaxieproces

De primaire toepassing van de SiC Coated Graphite Barrel Susceptor ligt in LPE-reactoren, waar deze een cruciale rol speelt in de groei van hoogwaardige halfgeleiderlagen. Het vermogen om de stabiliteit onder extreme omstandigheden te behouden en tegelijkertijd een optimale warmteverdeling te faciliteren, maakt het tot een essentieel onderdeel voor fabrikanten die zich richten op geavanceerde halfgeleiderapparaten. Door gebruik te maken van deze susceptor kunnen bedrijven verbeterde prestaties verwachten bij de productie van hoogzuivere halfgeleidermaterialen, wat de weg vrijmaakt voor de ontwikkeling van geavanceerde technologieën.

VeTeksemi zet zich al lang in voor het leveren van geavanceerde technologie en productoplossingen aan de halfgeleiderindustrie. De SiC-gecoate grafietvatsusceptors van VeTek Semiconductor bieden op maat gemaakte opties die zijn afgestemd op specifieke toepassingen en vereisten. Of het nu gaat om het wijzigen van afmetingen, het verbeteren van specifieke thermische eigenschappen of het toevoegen van unieke functies voor gespecialiseerde processen, VeTek Semiconductor streeft ernaar oplossingen te bieden die volledig voldoen aan de behoeften van de klant. Wij kijken er oprecht naar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

CVD SIC COATING FILM KRISTALSTRUCTUUR

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating

VeTek Semiconductor SiC Coated Graphite Barrel Susceptor-productiewinkels