4H semi-isolerend type SiC-substraat

Vetek Semiconductor 4H semi-isolerend type SiC speelt meerdere sleutelrollen in het halfgeleiderverwerkingsproces. Gecombineerd met zijn hoge soortelijke weerstand, hoge thermische geleidbaarheid, brede bandafstand en andere eigenschappen, wordt het veel gebruikt in hoogfrequente, krachtige en hoge temperatuurvelden, vooral in microgolf- en RF-toepassingen. Het is een onmisbaar componentproduct in het halfgeleiderproductieproces.

De soortelijke weerstand van Vetek Semiconductor 4H semi-isolerend type SiC-substraat ligt doorgaans tussen 10^6 Ω·cm en 10^9 Ω·cm. Deze hoge weerstand kan parasitaire stromen onderdrukken en signaalinterferentie verminderen, vooral bij toepassingen met hoge frequentie en hoog vermogen. Wat nog belangrijker is, is dat de hoge soortelijke weerstand van het 4H SI-type SiC-substraat een extreem lage lekstroom heeft bij hoge temperaturen en hoge druk, wat de stabiliteit en betrouwbaarheid van het apparaat kan garanderen.

De elektrische doorslagsterkte van het 4H SI-type SiC-substraat is zo hoog als 2,2-3,0 MV/cm, wat bepaalt dat het 4H SI-type SiC-substraat hogere spanningen kan weerstaan ​​zonder doorslag, dus het product is zeer geschikt om te werken onder omstandigheden met hoge spanning en hoog vermogen. Belangrijker nog is dat het SiC-substraat van het 4H SI-type een grote bandafstand heeft van ongeveer 3,26 eV, zodat het product uitstekende isolatieprestaties kan behouden bij hoge temperaturen en hoge spanning en elektronische ruis kan verminderen.

Bovendien is de thermische geleidbaarheid van het 4H SI-type SiC-substraat ongeveer 4,9 W/cm·K, zodat dit product het probleem van warmteaccumulatie bij toepassingen met hoog vermogen effectief kan verminderen en de levensduur van het apparaat kan verlengen. Geschikt voor elektronische apparaten in omgevingen met hoge temperaturen.

Door een epitaxiale GaN-laag op een semi-isolerend substraat van siliciumcarbide te laten groeien, kan de epitaxiale GaN-wafel op basis van siliciumcarbide verder worden omgezet in microgolfradiofrequentieapparaten zoals HEMT, die worden gebruikt in informatiecommunicatie, radiodetectie en andere velden.

Vetek Semiconductor streeft voortdurend naar een hogere kristalkwaliteit en verwerkingskwaliteit om aan de behoeften van de klant te voldoen. Momenteel zijn 4-inch en 6-inch producten beschikbaar en zijn 8-inch producten in ontwikkeling. 

Semi-isolerend SiC-substraat BASISPRODUCTSPECIFICATIES:

Semi-isolerend SiC-substraat SPECIFICATIES VAN KRISTALKWALITEIT:

4H semi-isolerende type SiC-substraatdetectiemethode en terminologie: