De Three-petal Graphite Crucible van VeTek Semiconductor is een speciale container ontworpen voor de thermische behandeling van halfgeleidermaterialen, vooral voor de productie van enkele kristallen. Het speelt een cruciale rol bij het beheersen van de groei van eenkristalstructuren die nodig zijn voor de vervaardiging van halfgeleiderapparaten. VeTek Semiconductor kijkt ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
VeTek Semiconductor is een professionele fabrikant en leverancier van China Three-petal Graphite Crucible. Welkom bij ons! VeTek Semiconductor's Three-petal Graphite Crucible is voornamelijk gemaakt van zeer zuiver grafietmateriaal en biedt uitstekende thermische stabiliteit, chemische weerstand en thermische uitzettingseigenschappen. Dankzij deze eigenschappen is de Three-petal Graphite Crucible van VeTek Semiconductor bestand tegen extreme omstandigheden tijdens verwerking bij hoge temperaturen.
De Three-petal Graphite Crucible is precies ontworpen om de veeleisende omstandigheden van halfgeleiderproductieprocessen aan te kunnen. Het beschikt over een robuust cilindrisch ontwerp met een glad binnenoppervlak, wat een gelijkmatige warmteverdeling en kristalgroei mogelijk maakt. Bovendien is de Three-petal Graphite Crucible van VeTek Semiconductor ontworpen om het risico op besmetting van halfgeleidermateriaal door onzuiverheden te minimaliseren.
De Three-petal Graphite Crucible vertoont een uitstekende thermische geleidbaarheid en zorgt voor een efficiënte warmteoverdracht en uniforme temperatuurverdeling tijdens het kristallisatieproces. Dit bevordert een uniforme kristalgroei en minimaliseert thermische gradiënten die de productkwaliteit kunnen beïnvloeden.
De Three-petal Graphite Crucible van VeTek Semiconductor wordt breed toegepast in verschillende halfgeleiderproductieprocessen, waaronder de groei van monokristallijne siliciumstaven door middel van technieken zoals de Czochralski-methode en de drijvende zone-methode. Deze smeltkroezen bieden een stabiele en gecontroleerde omgeving voor nauwkeurige halfgeleiderkristalvorming, wat cruciaal is voor de productie van hoogwaardige materialen voor elektronische apparaten.
Neem voor gedetailleerde productspecificaties van de Three-petal Graphite Crucible contact op met VeTek Semiconductor.
Fysische eigenschappen van isostatisch grafiet | ||
Eigendom | Eenheid | Typische waarde |
Bulkdichtheid | g/cm³ | 1.83 |
Hardheid | HSD | 58 |
Elektrische weerstand | mΩ.m | 10 |
Buigsterkte | MPa | 47 |
Druksterkte | MPa | 103 |
Treksterkte | MPa | 31 |
Young's Modulus | GPa | 11.8 |
Thermische uitzetting (CTE) | 10-6K-1 | 4.6 |
Warmtegeleiding | W·m-1·K-1 | 130 |
Gemiddelde korrelgrootte | urn | 8-10 |
Porositeit | % | 10 |
As inhoud | ppm | ≤10 (na gezuiverd) |