SiN-substraat

VeTek Semiconductor SiN-substraat is een geavanceerdkeramisch materiaaldat brede aandacht heeft getrokken vanwege zijn uitstekende mechanische, elektrische en thermische eigenschappen. Deze keramieksubstraatis gemaakt van silicium- en stikstofatomen gebonden door een specifieke kristalstructuur en vertoont een unieke sterkte, duurzaamheid en hittebestendigheid. SiN-substraten zijn onmisbaar in hoogwaardige toepassingen zoals halfgeleiderapparaten, en hun eigenschappen verbeteren aanzienlijk de efficiëntie en betrouwbaarheid van geïntegreerde schakelingen (IC's), sensoren enmicro-elektromechanische systemen (MEMS).

Producteigenschappen van SiN-substraten：

Uitstekende thermische geleidbaarheid: Thermisch beheer speelt een belangrijke rol in de prestaties van halfgeleiderapparaten. De thermische geleidbaarheid van de SiN-keramische plaat bedraagt ​​maar liefst 130 W/m·K, waardoor de warmte van elektronische componenten effectief kan worden afgevoerd en oververhitting kan worden voorkomen, waardoor de levensduur van de apparatuur wordt verlengd.

Chemische stabiliteit en corrosieweerstand: Siliciumnitride vertoont een extreem sterke weerstand tegen chemische corrosie en is bijzonder geschikt voor gebruik in omgevingen die worden blootgesteld aan chemicaliën of extreme temperaturen. Zelfs in omgevingen met corrosieve gassen, zuren en logen behouden SiN-substraten hun structurele integriteit, waardoor langdurige betrouwbaarheid in industriële toepassingen wordt gegarandeerd.

Hoge thermische schokbestendigheid: SiN-substraten zijn bestand tegen snelle temperatuurveranderingen tot 1200°C zonder thermische schokken of scheuren. Deze eigenschap is van cruciaal belang op gebieden zoals vermogenselektronica en hogetemperatuursensoren, die vaak worden uitgedaagd door plotselinge temperatuurveranderingen.

Hoge sterkte en taaiheid: Vergeleken met andere keramische materialen is de druksterkte vanSiN keramisch substraatkan 600 MPa bereiken en vertoont een uitstekende taaiheid. Dit maakt het mogelijk om effectief weerstand te bieden aan scheuren en de structurele integriteit te behouden in hoogspannings- en nauwkeurig verwerkte halfgeleiderprocessen, waardoor mechanische stabiliteit wordt gegarandeerd.

Overzicht van de fabricage van silicium/siliciumnitride (Si/SiN) TEM

VeTek Semiconductor Siliciumnitride (SiN)-substraat is een belangrijk materiaal geworden in de halfgeleiderindustrie en op andere gebieden vanwege de uitstekende producteigenschappen. Vooral op het gebied van halfgeleiderapparaten, MEMS, opto-elektronica en vermogenselektronica vormen SiN-substraten de drijvende kracht achter de ontwikkeling van toekomstige elektronische technologie, een belangrijke hoeksteen.

VeTekSemi SiN substraatproductwinkels: