PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders

De PSS Etching Carrier Plate for Semiconductor van VeTek Semiconductor is een hoogwaardige, ultrazuivere grafietdrager ontworpen voor waferhanteringsprocessen. Onze dragers presteren uitstekend en kunnen goed presteren onder zware omstandigheden, hoge temperaturen en zware chemische reinigingsomstandigheden. Onze producten worden veel gebruikt op veel Europese en Amerikaanse markten en we kijken ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

Als professionele fabrikant willen wij u graag een hoogwaardige PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders leveren. De PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders van VeTek Semiconductor is een gespecialiseerd onderdeel dat in de halfgeleiderindustrie wordt gebruikt voor het proces van etsen met plasmabronspectroscopie (PSS). Deze plaat speelt een cruciale rol bij het ondersteunen en dragen van de halfgeleiderwafels tijdens het etsproces. Welkom bij ons!

Belangrijkste kenmerken:

Precisieontwerp: De draagplaat is ontworpen met nauwkeurige afmetingen en vlakheid van het oppervlak om een uniforme en consistente etsing over de halfgeleiderwafels te garanderen. Het biedt een stabiel en gecontroleerd platform voor de wafers, waardoor nauwkeurige en betrouwbare etsresultaten mogelijk zijn.

Plasmaweerstand: De draagplaat vertoont een uitstekende weerstand tegen het plasma dat bij het etsproces wordt gebruikt. Het wordt niet beïnvloed door de reactieve gassen en het hoogenergetische plasma, waardoor een langere levensduur en consistente prestaties worden gegarandeerd.

Thermische geleidbaarheid: De draagplaat heeft een hoge thermische geleidbaarheid om de tijdens het etsproces gegenereerde warmte efficiënt af te voeren. Dit helpt bij het handhaven van een optimale temperatuurregeling en voorkomt oververhitting van de halfgeleiderwafels.

Compatibiliteit: De PSS Etching Carrier Plate is ontworpen om compatibel te zijn met verschillende halfgeleiderwafelformaten die vaak in de industrie worden gebruikt, waardoor veelzijdigheid en gebruiksgemak bij verschillende productieprocessen wordt gegarandeerd.

Productparameter van de PSS-etsdraagplaat voor halfgeleiders

Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom	Typische waarde
Kristal structuur	FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
Dikte	3,21 g/cm³
Hardheid	2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte	2~10μm
Chemische zuiverheid	99,99995%
Warmte capaciteit	640 J·kg-1·K-1
Sublimatie temperatuur	2700℃
Buigsterkte	415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus	430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Warmtegeleiding	300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)	4,5 × 10-6K-1