VeTek Semiconductor is een toonaangevende fabrikant en innovator van CVD SiC Coated Barrel Susceptor in China. Onze CVD SiC Coated Barrel Susceptor speelt een sleutelrol bij het bevorderen van de epitaxiale groei van halfgeleidermaterialen op wafers met zijn uitstekende producteigenschappen. Welkom bij uw verdere consultatie.
VeTek halfgeleider CVD SiC gecoate vatsusceptor is op maat gemaakt voorepitaxiale processenin de productie van halfgeleiders en is een ideale keuze voor het verbeteren van de productkwaliteit en opbrengst. Deze SiC Coating Barrel Susceptor-basis heeft een solide grafietstructuur en is nauwkeurig gecoat met een SiC-laag doorCVD-proces, waardoor het een uitstekende thermische geleidbaarheid, corrosieweerstand en hoge temperatuurbestendigheid heeft, en effectief kan omgaan met de barre omgeving tijdens epitaxiale groei.
● Uniforme verwarming om de kwaliteit van de epitaxiale laag te garanderen: De uitstekende thermische geleidbaarheid van de SiC-coating zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling op het oppervlak van de wafer, waardoor defecten effectief worden verminderd en de productopbrengst wordt verbeterd.
● Verleng de levensduur van de basis: DeSiC-coatingheeft een uitstekende corrosieweerstand en hoge temperatuurbestendigheid, wat de levensduur van de basis effectief kan verlengen en de productiekosten kan verlagen.
● Verbeter de productie-efficiëntie: Het vatontwerp optimaliseert het laad- en losproces van de wafels en verbetert de productie-efficiëntie.
● Toepasbaar op een verscheidenheid aan halfgeleidermaterialen: Deze basis kan op grote schaal worden gebruikt bij de epitaxiale groei van een verscheidenheid aan halfgeleidermaterialen zoalsSiCEnGaN.
●Uitstekende thermische prestaties: Hoge thermische geleidbaarheid en thermische stabiliteit zorgen voor een nauwkeurige temperatuurregeling tijdens epitaxiale groei.
●Corrosiebestendigheid: SiC-coating is effectief bestand tegen de erosie van hoge temperaturen en corrosief gas, waardoor de levensduur van de basis wordt verlengd.
●Hoge sterkte: De grafietbasis biedt solide ondersteuning om de stabiliteit van het epitaxiale proces te garanderen.
●Service op maat: VeTek semiconductor kan op maat gemaakte diensten leveren op basis van de behoeften van de klant om aan verschillende procesvereisten te voldoen.
Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating |
|
Eigendom |
Typische waarde |
Kristalstructuur |
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd |
SiC-coating Dichtheid |
3,21 g/cm³ |
Hardheid |
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting) |
Korrelgrootte |
2~10μm |
Chemische zuiverheid |
99,99995% |
Warmtecapaciteit |
640 J·kg-1·K-1 |
Sublimatietemperatuur |
2700℃ |
Buigsterkte |
415 MPa RT 4-punts |
Young's Modulus |
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃ |
Thermische geleidbaarheid |
300W·m-1·K-1 |
Thermische uitzetting (CTE) |
4,5×10-6K-1 |