Thuis > Producten > Siliciumcarbide coating > Silicium epitaxie > Susceptor met CVD SiC-coating
Susceptor met CVD SiC-coating
  • Susceptor met CVD SiC-coatingSusceptor met CVD SiC-coating

Susceptor met CVD SiC-coating

VeTek Semiconductor is een toonaangevende fabrikant en innovator van CVD SiC Coated Barrel Susceptor in China. Onze CVD SiC Coated Barrel Susceptor speelt een sleutelrol bij het bevorderen van de epitaxiale groei van halfgeleidermaterialen op wafers met zijn uitstekende producteigenschappen. Welkom bij uw verdere consultatie.

Stuur onderzoek

Productomschrijving

VeTek halfgeleider CVD SiC gecoate vatsusceptor is op maat gemaakt voorepitaxiale processenin de productie van halfgeleiders en is een ideale keuze voor het verbeteren van de productkwaliteit en opbrengst. Deze SiC Coating Barrel Susceptor-basis heeft een solide grafietstructuur en is nauwkeurig gecoat met een SiC-laag doorCVD-proces, waardoor het een uitstekende thermische geleidbaarheid, corrosieweerstand en hoge temperatuurbestendigheid heeft, en effectief kan omgaan met de barre omgeving tijdens epitaxiale groei.


Waarom kiezen voor een VeTek halfgeleider CVD SiC gecoate vatsusceptor?


Uniforme verwarming om de kwaliteit van de epitaxiale laag te garanderen: De uitstekende thermische geleidbaarheid van de SiC-coating zorgt voor een uniforme temperatuurverdeling op het oppervlak van de wafer, waardoor defecten effectief worden verminderd en de productopbrengst wordt verbeterd.

Verleng de levensduur van de basis: DeSiC-coatingheeft een uitstekende corrosieweerstand en hoge temperatuurbestendigheid, wat de levensduur van de basis effectief kan verlengen en de productiekosten kan verlagen.

Verbeter de productie-efficiëntie: Het vatontwerp optimaliseert het laad- en losproces van de wafels en verbetert de productie-efficiëntie.

Toepasbaar op een verscheidenheid aan halfgeleidermaterialen: Deze basis kan op grote schaal worden gebruikt bij de epitaxiale groei van een verscheidenheid aan halfgeleidermaterialen zoalsSiCEnGaN.


Voordelen van CVD SiC gecoate vatsusceptor:


 ●Uitstekende thermische prestaties: Hoge thermische geleidbaarheid en thermische stabiliteit zorgen voor een nauwkeurige temperatuurregeling tijdens epitaxiale groei.

 ●Corrosiebestendigheid: SiC-coating is effectief bestand tegen de erosie van hoge temperaturen en corrosief gas, waardoor de levensduur van de basis wordt verlengd.

 ●Hoge sterkte: De grafietbasis biedt solide ondersteuning om de stabiliteit van het epitaxiale proces te garanderen.

 ●Service op maat: VeTek semiconductor kan op maat gemaakte diensten leveren op basis van de behoeften van de klant om aan verschillende procesvereisten te voldoen.


SEM-GEGEVENS VAN CVD SIC COATING FILM KRISTALSTRUCTUUR:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE


Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating:


Fysische basiseigenschappen van CVD SiC-coating
Eigendom
Typische waarde
Kristalstructuur
FCC β-fase polykristallijn, voornamelijk (111) georiënteerd
SiC-coating Dichtheid
3,21 g/cm³
Hardheid
2500 Vickers-hardheid (500 g belasting)
Korrelgrootte
2~10μm
Chemische zuiverheid
99,99995%
Warmtecapaciteit
640 J·kg-1·K-1
Sublimatietemperatuur
2700℃
Buigsterkte
415 MPa RT 4-punts
Young's Modulus
430 Gpa 4pt bocht, 1300℃
Thermische geleidbaarheid
300W·m-1·K-1
Thermische uitzetting (CTE)
4,5×10-6K-1

VeTek-halfgeleider CVD SiC Coated Barrel Susceptor-winkels:

Graphite epitaxial substrateSemiconductor EquipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment


Hottags: CVD SiC gecoate vatsusceptor, China, fabrikant, leverancier, fabriek, aangepast, kopen, geavanceerd, duurzaam, gemaakt in China
Gerelateerde categorie
Stuur onderzoek
Stel gerust uw vraag via onderstaand formulier. Wij zullen u binnen 24 uur antwoorden.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept