Poreuze SiC-vacuümhouder

Vetek Semiconductor poreuze SiC-vacuümhouder bestaat voornamelijk uit siliciumcarbide (SiC), een keramisch materiaal met uitstekende prestaties. Poreuze SiC-vacuümklauwplaat kan de rol spelen van wafelondersteuning en fixatie in het halfgeleiderverwerkingsproces. Dit product kan zorgen voor een goede pasvorm tussen de wafel en de spankop door een uniforme zuigkracht te bieden, waardoor het kromtrekken en vervormen van de wafel effectief wordt vermeden, waardoor de vlakheid van de stroom tijdens de verwerking wordt gegarandeerd. Bovendien kan de hoge temperatuurbestendigheid van siliciumcarbide de stabiliteit van de spankop garanderen en voorkomen dat de wafel eraf valt als gevolg van thermische uitzetting. Welkom om verder te raadplegen.

Op het gebied van de elektronica kan poreuze SiC-vacuümklem worden gebruikt als halfgeleidermateriaal voor lasersnijden, productie van elektrische apparaten, fotovoltaïsche modules en elektronische componenten. De hoge thermische geleidbaarheid en hoge temperatuurbestendigheid maken het een ideaal materiaal voor elektronische apparaten. Op het gebied van de opto-elektronica kan de poreuze SiC-vacuümhouder worden gebruikt voor de vervaardiging van opto-elektronische apparaten zoals lasers, LED-verpakkingsmaterialen en zonnecellen. De uitstekende optische eigenschappen en corrosieweerstand helpen de prestaties en stabiliteit van het apparaat te verbeteren.

Vetek Semiconductor kan dit bieden:

1. Netheid: Na de verwerking, gravering, reiniging en uiteindelijke levering van de SiC-drager moet deze gedurende 1,5 uur op 1200 graden worden getemperd om alle onzuiverheden uit te branden en vervolgens in vacuümzakken worden verpakt.

2. Productvlakheid: Voordat de wafer wordt geplaatst, moet deze boven -60 kpa zijn wanneer deze op de apparatuur wordt geplaatst om te voorkomen dat de drager wegvliegt tijdens snelle transmissie. Na het plaatsen van de wafer moet deze boven de -70 kpa zijn. Als de nullasttemperatuur lager is dan -50 kpa, blijft de machine waarschuwen en kan deze niet werken. Daarom is de vlakheid van de rug erg belangrijk.

3. Ontwerp van gaspad: aangepast aan de eisen van de klant.

3 fasen van klanttesten:

1. Oxidatietest: geen zuurstof (de klant warmt snel op tot 900 graden, dus het product moet gegloeid worden op 1100 graden).

2. Test op metaalresten: snel opwarmen tot 1200 graden, er komen geen metaalverontreinigingen vrij die de wafer kunnen vervuilen.

3. Vacuümtest: het drukverschil met en zonder Wafer ligt binnen +2ka (zuigkracht).

VeTek Semiconductor Poreuze SiC Vacuüm Chuck Kenmerken Tabel:

VeTek Semiconductor Poreuze SiC-vacuümklauwwinkels:

Overzicht van de epitaxie-industrieketen van halfgeleiderchips: