Wat is het verschil tussen CVD TaC en gesinterde TaC?

1. Wat is tantaalcarbide?

Tantaalcarbide (TaC) is een binaire verbinding bestaande uit tantaal en koolstof met de empirische formule TaCX, waarbij X gewoonlijk varieert in het bereik van 0,4 tot 1. Het zijn zeer harde, broze metalen geleidende vuurvaste keramische materialen. Het zijn bruingrijze poeders, meestal gesinterd. Als belangrijk metaalkeramisch materiaal wordt tantaalcarbide commercieel gebruikt voor snijgereedschappen en soms toegevoegd aan wolfraamcarbidelegeringen.

Figuur 1. Grondstoffen van tantaalcarbide

Tantaalcarbide-keramiek is een keramiek dat zeven kristallijne fasen tantaalcarbide bevat. De chemische formule is TaC, vlakgecentreerd kubisch rooster.

Figuur 2.Tantaalcarbide - Wikipedia

De theoretische dichtheid is 1,44, het smeltpunt is 3730-3830℃, de thermische uitzettingscoëfficiënt is 8,3×10-6, de elastische modulus is 291GPa, de thermische geleidbaarheid is 0,22J/cm·S·C en het pieksmeltpunt van tantaalcarbide ligt rond 3880℃, afhankelijk van zuiverheid en meetomstandigheden. Deze waarde is de hoogste van binaire verbindingen.

Figuur 3.Chemische dampafzetting van tantaalcarbide in de TaBr5&ndash

2. Hoe sterk is tantaalcarbide?

Door de Vickers-hardheid, breuktaaiheid en relatieve dichtheid van een reeks monsters te testen, kan worden vastgesteld dat TaC de beste mechanische eigenschappen heeft bij 5,5 GPa en 1300 ℃. De relatieve dichtheid, breuktaaiheid en Vickers-hardheid van TaC zijn respectievelijk 97,7%, 7,4 MPam1/2 en 21,0 GPa.

Tantaalcarbide wordt ook tantaalcarbide-keramiek genoemd, wat in brede zin een soort keramisch materiaal is;de bereidingsmethoden van tantaalcarbide omvattenCVDmethode, sintermethode, enz. Momenteel wordt de CVD-methode vaker gebruikt in halfgeleiders, met een hoge zuiverheid en hoge kosten.

3. Vergelijking tussen gesinterd tantaalcarbide en CVD tantaalcarbide

In de verwerkingstechnologie van halfgeleiders zijn gesinterd tantaalcarbide en chemische dampafzetting (CVD) tantaalcarbide twee veelgebruikte methoden voor de bereiding van tantaalcarbide, die aanzienlijke verschillen hebben in bereidingsproces, microstructuur, prestaties en toepassing.

3.1 Voorbereidingsproces

Gesinterd tantaalcarbide: Tantaalcarbidepoeder wordt onder hoge temperatuur en hoge druk gesinterd om een ​​vorm te vormen. Dit proces omvat poederverdichting, korrelgroei en verwijdering van onzuiverheden.

CVD tantaalcarbide: De gasvormige voorloper van tantaalcarbide wordt gebruikt om chemisch te reageren op het oppervlak van het verwarmde substraat, en de tantaalcarbidefilm wordt laag voor laag afgezet. Het CVD-proces heeft een goed regelvermogen voor de filmdikte en een uniforme samenstelling.

3.2 Microstructuur

Gesinterd tantaalcarbide: Over het algemeen is het een polykristallijne structuur met grote korrelgrootte en poriën. De microstructuur wordt beïnvloed door factoren zoals sintertemperatuur, druk en poedereigenschappen.

CVD tantaalcarbide: Het is meestal een dichte polykristallijne film met een kleine korrelgrootte en kan een sterk georiënteerde groei bereiken. De microstructuur van de film wordt beïnvloed door factoren zoals depositietemperatuur, gasdruk en gasfasesamenstelling.

3.3 Prestatieverschillen

Figuur 4. Prestatieverschillen tussen gesinterde TaC en CVD TaC

3.4 Toepassingen

Gesinterd tantaalcarbide: Vanwege de hoge sterkte, hoge hardheid en hoge temperatuurbestendigheid wordt het veel gebruikt in snijgereedschappen, slijtvaste onderdelen, structurele materialen voor hoge temperaturen en andere gebieden. Gesinterd tantaalcarbide kan bijvoorbeeld worden gebruikt om snijgereedschappen zoals boren en frezen te vervaardigen om de verwerkingsefficiëntie en de oppervlaktekwaliteit van onderdelen te verbeteren.

CVD tantaalcarbide: Vanwege zijn dunne filmeigenschappen, goede hechting en uniformiteit wordt het veel gebruikt in elektronische apparaten, coatingmaterialen, katalysatoren en andere gebieden. CVD-tantaalcarbide kan bijvoorbeeld worden gebruikt als verbindingen voor geïntegreerde schakelingen, slijtvaste coatings en katalysatordragers.

--------------------------------------------- --------------------------------------------- --------------------------------------------- --------------------------------------------- --------------------------------------------- ----------------------------

Als fabrikant, leverancier en fabriek van tantaalcarbide coatings is VeTek Semiconductor een toonaangevende fabrikant van tantaalcarbide coatingmaterialen voor de halfgeleiderindustrie.

Onze belangrijkste producten omvattenCVD tantaalcarbide gecoate onderdelengesinterde, met TaC gecoate onderdelen voor SiC-kristalgroei of halfgeleider-epitaxieprocessen. Onze belangrijkste producten zijn met tantaalcarbide gecoate geleidingsringen, met TaC gecoate geleidingsringen, met TaC gecoate halvemaanonderdelen, met tantaalcarbide gecoate planetaire roterende schijven (Aixtron G10), met TaC gecoate smeltkroezen; TaC-gecoate ringen; TaC-gecoat poreus grafiet; Tantaalcarbide gecoate grafiet susceptoren; TaC-gecoate geleidingsringen; TaC tantaalcarbide gecoate platen; TaC-gecoate wafer-susceptors; Met TaC gecoate grafietdoppen; TaC-gecoate blokken, enz., met een zuiverheid van minder dan 5 ppm om aan de eisen van de klant te voldoen.

Figuur 5. De populaire TaC-coatingproducten van VeTek Semiconductor

VeTek Semiconductor streeft ernaar een innovator te worden in de tantaalcarbidecoatingindustrie door voortdurend onderzoek en ontwikkeling van iteratieve technologieën. 

Als u geïnteresseerd bent in TaC-producten, neem dan gerust rechtstreeks contact met ons op.

Mob: +86-180 6922 0752

WhatsAPP: +86 180 6922 0752

E-mail: anny@veteksemi.com