Wat is tantaalcarbidecoating?

Tantaalcarbide (TaC) keramisch materiaal heeft een smeltpunt tot 3880 ℃ en is een verbinding met een hoog smeltpunt en goede chemische stabiliteit. Het kan stabiele prestaties behouden in omgevingen met hoge temperaturen. Bovendien heeft het ook een hoge temperatuurbestendigheid, chemische corrosieweerstand en een goede chemische en mechanische compatibiliteit met koolstofmaterialen, waardoor het een ideaal beschermend coatingmateriaal voor grafietsubstraten is. 

Tantaalcarbide coating kan grafietcomponenten effectief beschermen tegen de effecten van hete ammoniak, waterstof, siliciumdamp en gesmolten metaal in zware gebruiksomgevingen, waardoor de levensduur van grafietcomponenten aanzienlijk wordt verlengd en de migratie van onzuiverheden in grafiet wordt onderdrukt, waardoor de kwaliteit vanepitaxiaalEnkristal groei.

Figuur 1. Gemeenschappelijke tantaalcarbide gecoate componenten

Chemische dampafzetting (CVD) is de meest volwassen en optimale methode voor het produceren van TaC-coatings op grafietoppervlakken.

Met behulp van respectievelijk TaCl5 en Propyleen als koolstof- en tantaalbronnen, en argon als draaggas, wordt de bij hoge temperatuur verdampte TaCl5-damp in de reactiekamer geïntroduceerd. Bij de doeltemperatuur en -druk adsorbeert de damp van het precursormateriaal aan het oppervlak van grafiet, waarbij een reeks complexe chemische reacties wordt ondergaan, zoals ontleding en combinatie van koolstof- en tantaalbronnen, evenals een reeks oppervlaktereacties zoals diffusie en desorptie van bijproducten van de voorloper. Ten slotte wordt er een dichte beschermende laag gevormd op het oppervlak van het grafiet, die het grafiet beschermt tegen een stabiel bestaan ​​onder extreme omgevingsomstandigheden en de toepassingsscenario's van grafietmaterialen aanzienlijk uitbreidt.

Figuur 2.Procesprincipe van chemische dampafzetting (CVD).

Dierenartsek-halfgeleiderlevert voornamelijk tantaalcarbideproducten: TaC-geleidingsring, TaC-gecoate ring met drie bloembladen, TaC-coatingkroes, TaC-coating poreus grafiet wordt veel gebruikt in het SiC-kristalgroeiproces; Poreus grafiet met TaC-gecoat, TaC-gecoate geleidingsring, TaC-gecoate grafietwafeldrager, TaC-coating susceptors, planetaire susceptor, TaC gecoate satelliet susceptor, en deze tantaalcarbide coatingproducten worden veel gebruikt inSiC-epitaxieprocesEnSiC-groeiproces voor één kristal.

Figuur 3.DierenartsDe populairste tantaalcarbidecoatingproducten van ek Semiconductor