Zeer zuiver poreus grafiet geleverd door VeTek Semiconductor is een geavanceerd halfgeleiderverwerkingsmateriaal. Het is gemaakt van zeer zuiver koolstofmateriaal met uitstekende thermische geleidbaarheid, goede chemische stabiliteit en uitstekende mechanische sterkte. Dit zeer zuivere poreuze grafiet speelt een belangrijke rol in het groeiproces van monokristallijn SiC. VeTek Semiconductor streeft ernaar kwaliteitsproducten te leveren tegen concurrerende prijzen en kijkt ernaar uit om uw langetermijnpartner in China te worden.
Hoge kwaliteit VeTek Semiconductor High Purity Poreus Grafiet wordt aangeboden door de Chinese fabrikant VeTek Semiconductor. Koop VeTek Semiconductor High Purity poreus grafiet, dat direct van hoge kwaliteit is tegen een lage prijs.
VeTek Semiconductor High Purity Porous Graphite is een meesterwerk van hittebestendige materialen, bestand tegen de extreme temperaturen in halfgeleiderovens. De superieure duurzaamheid en levensduur betekent minder vervangingen en minder uitvaltijd, wat in de loop van de tijd tot aanzienlijke kostenbesparingen leidt.
Wij vervaardigen poreus grafiet met hoge zuiverheid uit koolstofbronnen van de hoogste kwaliteit om minimale onzuiverheden en een minimaal risico op besmetting te garanderen. Deze hoge zuiverheid betekent hogere opbrengsten en superieure prestaties van halfgeleiderapparaten.
Kies High Purity Porous Graphite, waarvan de uitzonderlijke thermische stabiliteit consistente prestaties garandeert, waardoor het ideaal is voor kritische halfgeleiderverwerking.
Upgrade vandaag nog uw halfgeleiderproductie door gebruik te maken van zeer zuiver poreus grafiet - een materiaal dat de manier verandert waarop we de technologie van morgen vervaardigen. Neem vandaag nog contact met ons op om uw specifieke behoeften te bespreken en begin aan een reis van innovatie in de productie van halfgeleiders. Laten we samenwerken om een superieure toekomst voor de productie van halfgeleiders te creëren!
Typische fysische eigenschappen van poreus grafiet | |
ltems | Parameter |
Bulkdichtheid | 0,89 g/cc |
Druksterkte | 8,27 MPa |
Buigkracht | 8,27 MPa |
Treksterkte | 1,72 MPa |
Specifieke weerstand | 130Ω-inX10-5 |
Porositeit | 50% |
Gemiddelde poriegrootte | 70um |
Warmtegeleiding | 12W/M*K |